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1. (WO2016038833) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/038833    国際出願番号:    PCT/JP2015/004349
国際公開日: 17.03.2016 国際出願日: 28.08.2015
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
出願人: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
発明者: KIYOSAWA, Tsutomu; .
YANASE, Yasuyuki; .
KAGAWA, Kazuhiro;
代理人: KAMATA, Kenji; (JP)
優先権情報:
2014-182330 08.09.2014 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor device is provided with: a substrate having a main surface inclined in an off direction from a {0001} face; a semiconductor layer; and an epitaxial layer. The semiconductor layer contains a trench. If the off direction is projected onto the main surface of the substrate, and if we let the upstream side of the resulting direction be an off-angle upstream side, and the downstream side be an off-angle downstream side, then side walls of the trench include first and second side wall portions which face one another and each intersect the off direction of the substrate, and the first side wall portion is located further toward the off-angle upstream side than the second side wall portion. The epitaxial layer is disposed at least on the first and second side wall portions of the trench, and on a first part of the main surface of a source region, located on the off-angle upstream side of the trench, and on a second part of the main surface of the source region, located on the off-angle downstream side of the trench. If the maximum thickness of the epitaxial layer on the first part is TL, the minimum thickness on the second part is TR (where TR>0), and the thickness of the source region is TS, the relationship TS>|TL-TR| is satisfied.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur équipé: d'un substrat ayant une surface principale inclinée dans une direction de décalage à partir d'une \ {1 \} face; une couche semi-conductrice; et une couche épitaxiale. La couche semi-conductrice contient une tranchée. Si la direction d'inclinaison est projetée sur la surface principale du substrat, et si on suppose le côté amont de la direction obtenue comme étant un angle de décalage côté amont, et le côté aval comme étant un angle de décalage côté aval, alors les parois latérales de la tranchée comprennent des première et seconde parties de paroi latérale qui se font face et chacune croisant la direction de décalage du substrat, et la première partie de paroi latérale est située davantage vers l'angle de décalage côté amont que la seconde partie de paroi latérale. La couche épitaxiale est disposée au moins sur les première et seconde parties de parois latérales de la tranchée, et sur une première partie de la surface principale d'une région de source, située sur l'angle de décalage côté amont de la tranchée, et sur une seconde partie de la surface principale de la région de source, située sur l'angle de décalage côté aval de la tranchée. Si l'épaisseur maximale de la couche épitaxiale sur la première partie est TL, l'épaisseur minimale sur la seconde partie est TR (où TR >0), et l'épaisseur de la région de source est TS, la relation TS>|TL-TR| est satisfaite.
(JA) 半導体装置は、{0001}面からオフ方向に傾斜した主面を有する基板と半導体層とエピタキシャル層とを備え、半導体層はトレンチを含み、オフ方向を基板の主面に射影した方向の上流側をオフ角上流側、下流側をオフ角下流側とすると、トレンチの側壁は、互いに対向し且つそれぞれが基板のオフ方向と交差する第1および第2の側壁部を含み、第1の側壁部は第2の側壁部よりもオフ角上流側に位置している。エピタキシャル層は、少なくとも、トレンチの第1および第2の側壁部上、および、ソース領域の主面のうちトレンチのオフ角上流側に位置する第1部分上、および、ソース領域の主面のうちトレンチのオフ角下流側に位置する第2部分上に配置されており、エピタキシャル層の第1部分上における最大厚さをTL、第2部分上における最小厚さをTR(ただしTR>0)、ソース領域の厚さをTSとすると、TS>|TL-TR|の関係が成り立つ。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)