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1. (WO2016038771) 研磨組成物及び研磨方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/038771    国際出願番号:    PCT/JP2015/003328
国際公開日: 17.03.2016 国際出願日: 02.07.2015
IPC:
C09K 3/14 (2006.01), B24B 37/00 (2012.01), C09G 1/02 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU CHEMICAL CO.,LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
発明者: NOJIMA, Yoshihiro; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; (JP)
優先権情報:
2014-186114 12.09.2014 JP
発明の名称: (EN) POLISHING COMPOSITION AND POLISHING METHOD
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE
(JA) 研磨組成物及び研磨方法
要約: front page image
(EN)A polishing composition comprising metal oxide particles as abrasive grains, wherein the metal oxide particles include those in which the half-value width of the peak portion at which the diffraction intensity in a powder X‐ray diffraction pattern is largest is less than 1°, and the composition further comprises, as a selectivity control agent, two or more types of water-soluble polymers having different weight-average molecular weights, the ratio of the different weight-average molecular weights of the water-soluble polymers being 10 or more. Accordingly, provided are: a polishing composition that is capable of maintaining a high polishing rate, of preventing occurrences of defects derived from polishing such as scratches, dishing, and erosion, and of allowing the selectivity which is the ratio of polishing speed between a metal layer and insulator layer to be arbitrarily adjusted; and a method for polishing a semiconductor substrate using the composition.
(FR)La présente invention concerne une composition de polissage comprenant des particules d'oxyde métallique en tant que grains abrasifs, les particules d'oxyde métallique comprenant celles dans lesquelles la largeur de demi-valeur de la partie de pic au niveau de laquelle l'intensité de diffraction dans un diagramme de diffraction des rayons X sur poudre est la plus grande est inférieure à 1 °, et la composition comprend en outre, en tant qu'agent de contrôle de la sélectivité, deux ou plusieurs types de polymères hydrosolubles ayant différentes masses moléculaires moyennes en poids, le rapport des différentes masses moléculaires moyennes en poids des polymères hydrosolubles étant supérieure ou égale à 10. En conséquence, l'invention concerne : une composition de polissage qui est capable de maintenir une vitesse de polissage élevée, de prévenir les occurrences de défauts issus du polissage tels que les rayures, le cintrage, et l'érosion, et de permettre la sélectivité, qui est le rapport de la vitesse de polissage entre une couche métallique et la couche d'isolation devant être arbitrairement ajustée ; et un procédé de polissage d'un substrat semi-conducteur à l'aide de la composition.
(JA) 本発明は、砥粒として金属酸化物粒子を含む研磨組成物であって、前記金属酸化物粒子として、粉末X線回折パターンにおける回折強度が最大となるピーク部分の半値幅が1°未満のものを含み、さらに、選択比調節剤として、重量平均分子量が異なる水溶性ポリマーを2種類以上含み、該水溶性ポリマーの異なる重量平均分子量の比が10以上のものを含むものであることを特徴とする研磨組成物である。これにより、高研磨レートを維持しつつ、スクラッチ、ディッシング、エロージョン等の研磨由来の欠陥の発生を抑制でき、かつ金属層と絶縁体層の研磨速度の比である選択比を任意に調節することが可能な研磨組成物及びそれを用いた半導体基板の研磨方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)