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1. (WO2016038717) 自己消弧型半導体素子の短絡保護回路
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/038717    国際出願番号:    PCT/JP2014/074054
国際公開日: 17.03.2016 国際出願日: 11.09.2014
IPC:
H03K 17/08 (2006.01), H02M 1/08 (2006.01), H03K 17/687 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
発明者: NAKA, Yoshitaka; (JP).
NAKAYAMA, Yasushi; (JP).
TAMADA, Yoshiko; (JP).
TAKAGI, Hiroyuki; (JP).
ISHIKAWA, Junichiro; (JP).
OTSU, Kazuhiro; (JP).
MITOMI, Naohiko; (JP)
代理人: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SHORT-CIRCUIT PROTECTION CIRCUIT FOR SELF-ARC-EXTINGUISHING SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) CIRCUIT DE PROTECTION CONTRE LES COURTS-CIRCUITS POUR ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR À AUTO-EXTINCTION D'ARC
(JA) 自己消弧型半導体素子の短絡保護回路
要約: front page image
(EN)A short-circuit protection circuit for a self-arc-extinguishing semiconductor element (302) includes a first protection circuit (304) and a second protection circuit (101). The first protection circuit (304) is configured such that, in the cases where it is detected that an overcurrent is flowing between first and second main electrodes (802, 803) of the self-arc-extinguishing semiconductor element (302), a voltage between a control electrode (801) and the first main electrode (802) is reduced. The second protection circuit (101) is configured so as to detect a current flowing in wiring (411) for supplying a drive voltage, to determine, on the basis of the current thus detected, whether the first protection circuit (304) is in an operation state, and to change the drive voltage so as to turn off the self-arc-extinguishing semiconductor element (302) in the cases where the first protection circuit (304) is in the operation state.
(FR)La présente invention porte sur un circuit de protection contre les court-circuits pour élément semi-conducteur à auto-extinction d'arc (302) qui comprend un premier circuit de protection (304) et un second circuit de protection (101). Le premier circuit de protection (304) est configuré de telle sorte que, dans les cas où il est détecté qu'une surintensité circule entre de première et seconde électrodes principales (802, 803) de l'élément semi-conducteur à auto-extinction d'arc (302), une tension entre une électrode de commande (801) et la première électrode principale (802) est réduite. Le second circuit de protection (101) est configuré de manière à détecter un courant circulant dans le câblage (411) pour fournir une tension d'attaque, pour déterminer, sur la base du courant ainsi détecté, si le premier circuit de protection (304) est dans un état de fonctionnement, et pour modifier la tension d'attaque de façon à éteindre l'élément semi-conducteur à auto-extinction d'arc (302) dans les cas où le premier circuit de protection (304) est dans l'état de fonctionnement.
(JA) 自己消弧型半導体素子(302)の短絡保護回路は、第1の保護回路(304)と第2の保護回路(101)とを含む。第1の保護回路(304)は、自己消弧型半導体素子(302)の第1および第2の主電極間(802,803)に過電流が流れていることを検出した場合に、制御電極(801)と第1の主電極(802)との間の電圧を減少させるように構成される。第2の保護回路(101)は、駆動電圧を供給するための配線(411)に流れる電流を検出し、検出した電流に基づいて第1の保護回路(304)が動作状態にあるか否かを判断し、第1の保護回路(304)が動作状態の場合に自己消弧型半導体素子(302)をオフにするように駆動電圧を変化させるように構成される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)