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1. (WO2016038664) 半導体アニール装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/038664    国際出願番号:    PCT/JP2014/073700
国際公開日: 17.03.2016 国際出願日: 08.09.2014
IPC:
H01L 21/265 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
発明者: KOBAYASHI, Kazuo; (JP).
IKEGAMI, Masaaki; (JP)
代理人: TAKADA, Mamoru; (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR ANNEALING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE RECUIT DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体アニール装置
要約: front page image
(EN)This semiconductor annealing apparatus is provided with: a chamber; a tube that is provided inside of the chamber; a wafer board that is provided inside of the tube such that the wafer board can advance and retract; a loading area where the wafer board is positioned when the wafer board exited to the outside of the tube; a hydrocarbon supply means that supplies hydrocarbon gas to the inside of the tube; a heating means that heats the inside of the tube; and an oxygen supply means that supplies oxygen to the inside of the tube. The tube and the wafer board are formed of sapphire or of SiC by means of all-CVD.
(FR)Cet appareil de recuit de semi-conducteurs est pourvu : d'une chambre ; d'un tube qui est disposé à l'intérieur de la chambre ; d'une carte de tranche qui est disposée à l'intérieur du tube de sorte que la carte de tranche puisse avancer et reculer ; d'une zone de chargement au niveau de laquelle la carte de tranche est positionnée lorsque la carte de tranche sort à l'extérieur du tube ; d'un moyen d'alimentation en hydrocarbures qui alimente en hydrocarbure gazeux l'intérieur du tube ; d'un moyen de chauffage qui chauffe l'intérieur du tube ; et d'un moyen d'alimentation en oxygène qui alimente en oxygène l'intérieur du tube. Le tube et la carte de tranche sont constitués de saphir ou de SiC au moyen d'une technique de DCPV intégral.
(JA) 半導体アニール装置は、チャンバと、前記チャンバの内側に設けられたチューブと、前記チューブの内側に進退可能に設けられたウエハボートと、前記ウエハボートが前記チューブの外に退出したときに前記ウエハボートが位置するローディングエリアと、前記チューブの内側に炭化水素ガスを供給する炭化水素供給手段と、前記チューブの内側を加熱する加熱手段と、前記チューブの内側に酸素を供給する酸素供給手段と、を備える。前記チューブおよび前記ウエハボートが、サファイア製、又はAll-CVDで形成したSiC製である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)