WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2016035696) 積層構造体およびその製造方法、半導体装置ならびに結晶膜
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/035696    国際出願番号:    PCT/JP2015/074380
国際公開日: 10.03.2016 国際出願日: 28.08.2015
IPC:
H01L 21/365 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/337 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01), H01L 33/16 (2010.01), H01L 33/26 (2010.01)
出願人: FLOSFIA INC. [JP/JP]; 1-36, Goryoohara, Nishikyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158245 (JP)
発明者: Oda Masaya; (JP).
Takatsuka Akio; (JP).
Hitora Toshimi; (JP)
優先権情報:
2014-178601 02.09.2014 JP
発明の名称: (EN) LAMINATED STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND CRYSTALLINE FILM
(FR) STRUCTURE STRATIFIÉE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET FILM CRISTALLIN
(JA) 積層構造体およびその製造方法、半導体装置ならびに結晶膜
要約: front page image
(EN)Provided are a laminated structure having excellent crystallinity, and a semiconductor device having the aforementioned laminated structure and having good mobility. The laminated structure is formed by laminating, on a crystalline substrate having a corundum structure, a crystalline film that incudes, as the main component, a crystalline oxide having a corundum structure, with the crystalline film being laminated directly on the substrate, or laminated on the substrate with another layer intervening therebetween. The laminated structure is characterized in that the crystalline substrate has an off angle of 0.2°-12.0°, and the crystalline oxide includes one or more kinds of metals selected from indium, aluminum, and gallium.
(FR)L'invention concerne une structure stratifiée ayant une excellente cristallinité, et un dispositif à semi-conducteur comportant la structure stratifiée susmentionnée et possédant une bonne mobilité. La structure stratifiée est formée par stratification, sur un substrat cristallin ayant une structure en corindon, d'un film cristallin qui comprend, en qualité de composant principal, un oxyde cristallin ayant une structure de corindon, le film cristallin étant stratifié directement sur le substrat, ou stratifié sur le substrat avec une autre couche disposée entre eux. La structure stratifiée est caractérisée en ce que le substrat cristallin possède un angle de décalage de 0,2° à 12,0°, et l'oxyde cristallin comprend un ou plusieurs types de métaux sélectionnés parmi l'indium, l'aluminium et le gallium.
(JA) 結晶性に優れた積層構造体および移動度が良好な前記積層構造体の半導体装置を提供する。コランダム構造を有する結晶基板上に、直接または別の層を介して、コランダム構造を有する結晶性酸化物を主成分として含む結晶膜が積層されている積層構造体であって、前記結晶基板が0.2°~12.0°のオフ角を有しており、前記結晶性酸化物が、インジウム、アルミニウムおよびガリウムから選ばれる1種または2種以上の金属を含むことを特徴とする積層構造体。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)