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1. (WO2016035549) パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、レジスト組成物、及び、レジスト膜
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/035549    国際出願番号:    PCT/JP2015/073237
国際公開日: 10.03.2016 国際出願日: 19.08.2015
IPC:
G03F 7/038 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01), G03F 7/32 (2006.01)
出願人: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
発明者: HIRANO Shuji; (JP)
代理人: WATANABE Mochitoshi; (JP)
優先権情報:
2014-177999 02.09.2014 JP
発明の名称: (EN) PATTERN FORMING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, RESIST COMPOSITION AND RESIST FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, COMPOSITION DE RÉSERVE ET FILM DE RÉSERVE
(JA) パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、レジスト組成物、及び、レジスト膜
要約: front page image
(EN)Provided are: a pattern forming method which forms an isolated space pattern with excellent resolving power; a method for manufacturing an electronic device using this pattern forming method; a resist composition; and a resist film. This pattern forming method comprises at least: a step for forming a resist film using a resist composition; a step for exposing the resist film to light; and a step for forming a pattern by developing the light-exposed resist film with use of a developer liquid that contains an organic solvent. The resist composition contains a resin (Ab) containing metal ions.
(FR)La présente invention porte sur : un procédé de formation de motif qui forme un motif d'espace isolé présentant une excellente puissance de résolution ; un procédé de fabrication d'un dispositif électronique utilisant ce procédé de formation de motif ; une composition de réserve ; et un film de réserve. Ce procédé de formation de motif comprend au moins : une étape de formation d'un film de réserve à l'aide d'une composition de réserve ; une étape d'exposition du film de réserve à la lumière ; et une étape de formation d'un motif par développement du film de réserve exposé à la lumière avec l'utilisation d'un liquide d'agent de développement qui contient un solvant organique. La composition de réserve contient une résine (Ab) contenant des ions métalliques.
(JA) 形成される孤立スペースパターンの解像力に優れるパターン形成方法、並びに、それを用いた電子デバイスの製造方法、レジスト組成物、及び、レジスト膜を提供する。上記パターン形成方法は、レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程と、上記レジスト膜を露光する工程と、上記露光された上記レジスト膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してパターンを形成する工程と、を少なくとも備えるパターン形成方法であって、上記レジスト組成物が、金属イオンを含む樹脂(Ab)を含有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)