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1. (WO2016035449) 半導体製造装置および半導体製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/035449    国際出願番号:    PCT/JP2015/069586
国際公開日: 10.03.2016 国際出願日: 08.07.2015
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/448 (2006.01), C30B 25/14 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
出願人: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP)
発明者: FUJIKURA Hajime; (JP)
代理人: FUKUOKA Masahiro; (JP)
優先権情報:
2014-180854 05.09.2014 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体製造装置および半導体製造方法
要約: front page image
(EN)The present invention pertains to a semiconductor manufacturing apparatus in which a film is formed on a substrate by supplying a source gas to the substrate disposed in a reaction furnace, the semiconductor manufacturing apparatus comprising: a storage container disposed in the reaction furnace and accommodating metal raw materials which serve as sources for the source gas; an auxiliary container disposed over the storage container in the reaction furnace and having a bottom which has a feeding port for the metal raw materials; a connection tube allowing an outlet port formed in the auxiliary container to communicate with the inside of the storage container; a sealing plug openably and closably sealing the outlet port; and a heater part for melting the metal raw materials in the auxiliary container and the storage container, and heating the inside of the reaction furnace at a predetermined temperature required for forming a film on the substrate.
(FR)La présente invention concerne un appareil de fabrication de semi-conducteurs, dans lequel un film est formé sur un substrat en fournissant un gaz source au substrat disposé dans un four de réaction. L'appareil de fabrication de semi-conducteurs comprend : un récipient de stockage disposé dans le four de réaction et recevant des matières premières métalliques qui servent de sources pour le gaz source ; un récipient auxiliaire disposé sur le récipient de stockage dans le four de réaction et ayant un fond qui présente un orifice d'alimentation pour les matières premières métalliques ; un tube de raccordement permettant à un orifice de sortie formé dans le récipient auxiliaire de communiquer avec l'intérieur du récipient de stockage ; un bouchon d'étanchéité scellant l'orifice de sortie de manière qu'il puisse être ouvert et fermé ; une partie chauffage destinée à faire fondre les matières premières métalliques dans le récipient auxiliaire et le récipient de stockage et chauffant l'intérieur du four de réaction à une température prédéfinie requise pour la formation d'un film sur le substrat.
(JA) 反応炉内に設置された基板に原料ガスを供給して基板への成膜処理を行う半導体製造装置において、反応炉内に配置されて原料ガスの基になる金属原料を収容する格納容器と、反応炉内における格納容器の上方側に配置され、金属原料の投入口を有した有底容器である補助容器と、補助容器に形成された流出口を格納容器内と連通させる接続管と、流出口を開閉可能に封止する封止栓と、補助容器内の金属原料および格納容器内の金属原料を溶融させ、かつ、基板への成膜処理に必要となる所定温度に反応炉内を加熱するヒータ部と、を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)