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1. (WO2016035428) 半導体製造装置および半導体製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/035428    国際出願番号:    PCT/JP2015/068150
国際公開日: 10.03.2016 国際出願日: 24.06.2015
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), C30B 25/14 (2006.01)
出願人: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP)
発明者: FUJIKURA Hajime; (JP)
代理人: FUKUOKA Masahiro; (JP)
優先権情報:
2014-179387 03.09.2014 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD
(FR) APPAREIL DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体製造装置および半導体製造方法
要約: front page image
(EN)This semiconductor manufacturing apparatus has: a processing container; a partition wall that partitions at least a part of the space in the processing container into a growing section and a cleaning section; a substrate holding member that is disposed in the growing section; a starting material gas supply system that supplies a starting material gas to the inside of the growing section; a cleaning gas supply system that supplies a cleaning gas to the inside of the cleaning section; and a heater that heats the growing section and the cleaning section.
(FR)La présente invention concerne un appareil de fabrication de semi-conducteurs comportant : un récipient de traitement ; une paroi de séparation qui sépare au moins une partie de l'espace dans le récipient de traitement en une section de croissance et en une section de nettoyage ; un élément de maintien de substrat qui est disposé dans la section de croissance ; un système d'alimentation en gaz de départ qui fournit un gaz de départ à l'intérieur de la section de croissance ; un système d'alimentation en gaz de nettoyage qui fournit un gaz de nettoyage à l'intérieur de la section de nettoyage ; et un dispositif de chauffage qui chauffe la section de croissance et la section de nettoyage.
(JA) 半導体製造装置は、処理容器と、処理容器内の空間の少なくとも一部を、成長部とクリーニング部とに区分する隔壁と、成長部内に配置された基板保持部材と、成長部内に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、クリーニング部内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系と、成長部および前記クリーニング部を加熱するヒータとを有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)