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1. (WO2016035388) 半導体試験装置および半導体試験方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/035388    国際出願番号:    PCT/JP2015/063908
国際公開日: 10.03.2016 国際出願日: 14.05.2015
IPC:
G01R 31/26 (2014.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
発明者: KINOUCHI Shinichi; (JP)
代理人: OIWA Masuo; (JP)
優先権情報:
2014-176912 01.09.2014 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR TESTING DEVICE AND SEMICONDUCTOR TESTING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ D'ESSAI
(JA) 半導体試験装置および半導体試験方法
要約: front page image
(EN)The present invention is provided with: a data holding unit 5b that holds correlation data with respect to an inter-terminal voltage needed to carry a constant current I0 when the temperature of a semiconductor element 91 is a variable; a data gathering unit 4 that gathers actual measurement data of inter-terminal voltages obtained when carrying the constant current I0 to a semiconductor element 91 in a power cycle test; and a temperature calculation unit 5a that calculates the temperature of the semiconductor element 91 on the basis of the actual measurement data gathered by means of the data gathering unit 4, and the correlation data held by means of the data holding unit 5b.
(FR)La présente invention comprend : une unité de conservation de données 5b qui conserve des données de corrélation par rapport à une tension inter-bornes nécessaires pour porter un courant constant I0 lorsque la température d'un élément semi-conducteur 91 est une variable ; une unité de collecte de données 4 qui collecte des données de mesure réelles de tensions inter-bornes obtenues lors du transport du courant constant I0 vers un élément semi-conducteur 91 dans un essai de cycle de puissance ; une unité de calcul de température 5a qui calcule la température de l'élément semi-conducteur 91 sur la base des données de mesure réelles collectées au moyen de l'unité de collecte de données 4, et des données de corrélation conservées au moyen de l'unité de conservation des données 5b.
(JA) 半導体素子91の温度を変数としたときの、一定電流Iの通電に必要な端子間電圧との相関データを保持するデータ保持部5bと、パワーサイクル試験において、半導体素子91に一定電流Iを通電した際の端子間電圧の実測データを収集するデータ収集部4と、データ収集部4が収集した実測データと、データ保持部5bが保持する相関データに基づき、半導体素子91の温度を算出する温度算出部5aと、を備える。 
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)