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1. (WO2016035251) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/035251    国際出願番号:    PCT/JP2015/003860
国際公開日: 10.03.2016 国際出願日: 31.07.2015
IPC:
H01L 21/60 (2006.01)
出願人: DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661 (JP)
発明者: MIYAWAKI, Shotaro; (JP).
HIRANO, Naohiko; (JP).
ASAI, Akiyoshi; (JP).
ASAI, Yasutomi; (JP)
代理人: KIN, Junhi; (JP)
優先権情報:
2014-177044 01.09.2014 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device wherein a plurality of electrode pads include: first pads (21) that are positioned on the corner (13) side of one surface (11) of a semiconductor element (10); and second pads (22) that are positioned further from corners (13) than the first pads (21). First wires (51) connected to the first pads (21) have a Young's modulus that is smaller than that of second wires (52) connected to the second pads (22). The thickness (d1) of an inter-metal compound layer (71) formed by means of each of the first wires (51) and each of the first pads (21) is more than the thickness (d2) of an inter-metal compound layer (72) formed by means of each of the second wires (52) and each of the second pads (22).
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs. Une pluralité de pastilles d'électrode comprennent : des premières pastilles (21) placées sur le côté coin (13) d'une surface d'un élément à semi-conducteurs (10) ; et des secondes pastilles (22) placées plus loin des coins (13) que les premières pastilles (21). Des premiers fils (51) connectés aux premières pastilles (21) ont un module de Young qui est inférieur à celui de seconds fils (52) connectés aux secondes pastilles (22). L'épaisseur (d1) d'une couche de composé inter-métallique (71) formée au moyen de chacun des premiers fils (51) et chacune des premières pastilles (21) est supérieure à l'épaisseur (d2) d'une couche de composé inter-métallique (72) formée au moyen de chacun des seconds fils (52) et de chacune des secondes pastilles (22).
(JA) 複数個の電極パッドは、半導体素子(10)の一面(11)においてコーナー(13)側に位置する第1のパッド(21)と、第1のパッド(21)よりもコーナー(13)から遠くに位置する第2のパッド(22)とを含む。第1のパッド(21)に接続されている第1のワイヤ(51)は、第2のパッド(22)に接続されている第2のワイヤ(52)よりもヤング率が小さいものとされている。第1のワイヤ(51)と第1のパッド(21)により形成される金属間化合物層(71)の厚さ(d1)は、第2のワイヤ(52)と第2のパッド(22)により形成される金属間化合物層(72)の厚さ(d2)よりも厚い。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)