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1. (WO2016035249) 多結晶シリコン製造用反応炉、多結晶シリコン製造装置、多結晶シリコンの製造方法、及び、多結晶シリコン棒または多結晶シリコン塊
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/035249    国際出願番号:    PCT/JP2015/003820
国際公開日: 10.03.2016 国際出願日: 29.07.2015
IPC:
C01B 33/035 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
発明者: NETSU, Shigeyoshi; (JP).
HOSHINO, Naruhiro; (JP).
OKADA, Tetsuro; (JP).
SAITO, Hiroshi; (JP)
代理人: OHNO, Seiji; (JP)
優先権情報:
2014-179793 04.09.2014 JP
発明の名称: (EN) REACTION FURNACE FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON, APPARATUS FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON, METHOD FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON, AND, POLYCRYSTALLINE SILICON ROD OR POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT
(FR) FOUR DE RÉACTION POUR LA PRODUCTION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, APPAREIL ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, ET BARREAU OU LINGOT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
(JA) 多結晶シリコン製造用反応炉、多結晶シリコン製造装置、多結晶シリコンの製造方法、及び、多結晶シリコン棒または多結晶シリコン塊
要約: front page image
(EN)A reaction furnace for producing polycrystalline silicon according to the present invention is designed in such a manner that the reaction furnace has an in-furnace reaction space of which the reaction space cross-sectional area ratio (S = [S0-SR]/SR) satisfies 2.5 or more when the diameter of a polycrystalline silicon rod that grows through the deposition of polycrystalline silicon is 140 mm or more, wherein the reaction space cross-sectional area ratio (S = [S0-SR]/SR) is defined by the inner cross-sectional area (S0) of the reaction furnace as taken in the direction vertical to the body of the reaction furnace and the sum total (SR) of cross-sectional areas of the polycrystalline silicon rod. The reaction furnace has a sufficient in-furnace reaction space even when the diameter of the polycrystalline silicon rod is enlarged. Therefore, proper gas circulation can be maintained in the reaction furnace. Consequently, even when the diameter of the polycrystalline silicon rod is enlarged, it becomes possible to regulate the reaction gas concentration and the gas temperature within proper ranges in a silicon deposition boundary layer.
(FR)Cette invention concerne un four de réaction pour la production de silicium polycristallin qui est conçu de façon que le four de réaction ait un espace de réaction interne dont le rapport des sections transversales (S = [S0-SR]/SR) satisfait 2,5 ou plus quand un barreau de silicium polycristallin qui croît par dépôt de silicium polycristallin est de 140 mm ou plus, le rapport des sections transversales (S = [S0-SR]/SR) de l'espace de réaction étant défini par la section transversale interne (S0) du four de réaction dans le sens vertical par rapport au corps dudit four de réaction et par la somme totale (SR) des sections transversales du barreau de silicium polycristallin. Le four de réaction a un espace de réaction interne suffisant, même quand le diamètre du barreau de silicium polycristallin s'agrandit. Par conséquent, une bonne circulation de gaz peut être maintenue dans le four de réaction. En conséquence, même quand le diamètre du barreau de silicium polycristallin s'agrandit, il est possible de réguler la concentration de gaz de réaction et la température du gaz dans les plages adéquates dans une couche limite de dépôt de silicium.
(JA) 本発明に係る多結晶シリコン製造用反応炉は、反応炉の直胴部に垂直な該反応炉の内断面積(S)と、多結晶シリコンの析出により育成される多結晶シリコン棒の断面積の総和(S)で定義付けられる反応空間断面積比(S=[S-S]/S)が、多結晶シリコン棒の直径が140mm以上の場合に2.5以上を満足する炉内反応空間を有しているように設計される。このような反応炉は、多結晶シリコン棒が径拡大しても十分な炉内反応空間を有しているため、反応炉内のガスの適正な循環が保たれる。その結果、多結晶シリコン棒の径が拡大した場合においても、シリコン析出境界層内の反応ガス濃度とガス温度を適正な範囲に制御することが可能である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)