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1. (WO2016031986) 強誘電性薄膜、電子素子及び製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/031986    国際出願番号:    PCT/JP2015/074515
国際公開日: 03.03.2016 国際出願日: 28.08.2015
IPC:
C30B 29/22 (2006.01), C01G 27/00 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), H04R 17/00 (2006.01), C04B 35/00 (2006.01), C04B 35/48 (2006.01), C04B 35/50 (2006.01)
出願人: TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 2-12-1, Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 1528550 (JP)
発明者: SHIMIZU, Takao; (JP).
FUNAKUBO, Hiroshi; (JP).
KATAYAMA, Kiriha; (JP).
MIMURA, Takanori; (JP)
代理人: AOKI, Atsushi; (JP)
優先権情報:
2014-176087 29.08.2014 JP
発明の名称: (EN) FERROELECTRIC THIN FILM, ELECTRONIC DEVICE, AND PRODUCTION METHOD
(FR) FILM FERROÉLECTRIQUE MINCE, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET LEUR PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 強誘電性薄膜、電子素子及び製造方法
要約: front page image
(EN)The present invention provides a novel ferroelectric thin film containing a uniaxially-oriented crystalline metal oxide having a rhombic fluorite structure. On a crystal substrate having a lattice mismatch of 10% or less (including 0%) with respect to a metal oxide in a rhombic fluorite structure, a thin film of a metal oxide in a fluorite structure is deposited, and a cooling treatment is performed after the deposition at an elevated temperature, or a heat treatment is performed after the deposition, so as to produce a ferroelectric thin film containing a uniaxially-oriented crystalline metal oxide having a rhombic fluorite structure. An electronic device comprising this ferroelectric thin film and an electrically conductive layer is also provided.
(FR)La présente invention concerne un nouveau film ferroélectrique mince contenant un oxyde métallique cristallin à orientation uniaxiale, présentant la structure d'une fluorite rhombique. Sur un substrat cristallin présentant un désaccord de maille inférieur ou égal à 10 % (y compris 0 %) par rapport à un oxyde métallique à structure de fluorite rhombique, un film mince d'un oxyde métallique à structure fluorite est déposé, et un traitement de refroidissement est mis en œuvre après le dépôt à une température élevée, ou un traitement thermique est effectué après le dépôt, de manière à produire un film ferroélectrique mince contenant un oxyde de métal cristallin à orientation uniaxiale, présentant la structure d'une fluorite rhombique. L'invention concerne également un dispositif électronique comprenant ce film mince ferroélectrique et une couche électriquement conductrice.
(JA) 斜方晶系蛍石型構造を有する一軸配向結晶性の金属酸化物を含む新規な強誘電性薄膜を提供する。斜方晶系蛍石型構造の金属酸化物に対して10%以内(0%を含む)の格子不整合を有する結晶基体上に、蛍石型構造の金属酸化物の薄膜を製膜し、昇温下で製膜後に冷却処理するか、あるいは製膜後に熱処理して、斜方晶系蛍石型構造を有する一軸配向結晶性の金属酸化物を含む強誘電性薄膜を製造する。その強誘電性薄膜と導電体層を含む電子素子も提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)