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1. (WO2016031962) 有機半導体素子の製造方法および有機半導体素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/031962    国際出願番号:    PCT/JP2015/074425
国際公開日: 03.03.2016 国際出願日: 28.08.2015
IPC:
H01L 51/40 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/46 (2006.01), H01L 51/48 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01)
出願人: KYUSHU UNIVERSITY, NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION [JP/JP]; 6-10-1, Hakozaki, Higashi-ku, Fukuoka-shi, Fukuoka 8128581 (JP)
発明者: MATSUSHIMA Toshinori; (JP).
ESAKI Yu; (JP).
ADACHI Chihaya; (JP)
代理人: SIKS & CO.; 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
優先権情報:
2014-175177 29.08.2014 JP
2015-133002 01.07.2015 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, ET ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
(JA) 有機半導体素子の製造方法および有機半導体素子
要約: front page image
(EN)An organic semiconductor element is produced by: placing a laminate that includes a substrate and a crystalline material film formed on the substrate in a bag made of a sheet having a thickness of 0.1 to 40 µm; discharging gas from the bag and sealing the same; and isotropically pressurizing the laminate through the bag. Thus, it is possible to provide an organic semiconductor element in which the density of the crystalline material film is high, and that has high carrier mobility and a long carrier diffusion length.
(FR)Selon la présente invention, la production d'un élément semi-conducteur organique consiste à : placer un stratifié, qui comprend un substrat et un film de matériau cristallin formé sur le substrat, dans un sac constitué d'une feuille ayant une épaisseur de 0,1 à 40 µm; évacuer un gaz du sac et sceller le sac; et pressuriser de manière isotrope le stratifié à travers le sac. De cette façon, il est possible de fournir un élément semi-conducteur organique dans lequel la densité du film de matériau cristallin est élevée et qui a une grande mobilité de porteurs de charge et une grande longueur de diffusion des porteurs de charge.
(JA) 基材と該基材の上に形成された結晶性材料膜を有する積層体を、厚さが0.1~40μmのシートで構成された袋体内に収容して袋体内のガスを排気して封止し、袋体を介して積層体を等方圧加圧することにより有機半導体素子を製造する。これによって、結晶性材料膜の密度が高くて高いキャリア移動度や長いキャリア拡散長が得られる有機半導体素子を提供することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)