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1. (WO2016031891) シリコン単結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/031891    国際出願番号:    PCT/JP2015/074137
国際公開日: 03.03.2016 国際出願日: 27.08.2015
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/04 (2006.01)
出願人: TOKUYAMA CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Mikage-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7458648 (JP)
発明者: YASUMURA, Ken; (JP).
TACHIBANA, Shoji; (JP)
代理人: SSINPAT PATENT FIRM; Gotanda Yamazaki Bldg. 6F, 13-6, Nishigotanda 7-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031 (JP)
優先権情報:
2014-174785 29.08.2014 JP
発明の名称: (EN) SILICON SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MONOCRISTAL DE SILICIUM
(JA) シリコン単結晶の製造方法
要約: front page image
(EN)In a silicon single crystal manufacturing method in which crystal defects are suppressed by including carbon, the purpose of the present invention is to develop a method in which the mixing and dissolving of carbon into a silicon melt is easy. This silicon single crystal manufacturing method is a method in which a silicon single crystal is drawn from a silicon melt held in a crucible and grown, wherein as at least a portion of a silicon raw material, used is a crushed material of a proximate part of a multicrystal silicon rod manufactured by the Siemens method, such proximate part being positioned at the end of the rod and being in contact with a carbon-type core wire holding member.
(FR)L’invention vise à procurer un procédé dans lequel le mélange et la dissolution de carbone dans une masse de silicium fondue est facile, dans un procédé de fabrication d'un monocristal de silicium dans lequel les défauts des cristaux sont supprimés par l'inclusion de carbone. Ce procédé de fabrication d'un monocristal de silicium consiste à tirer un monocristal de silicium d'une masse de silicium fondue contenue dans un creuset et à le faire croître. Une partie au moins d'une matière première de silicium utilisée est un matériau concassé d'une partie proche d'une tige de silicium polycristallin fabriquée par le procédé Siemens, cette partie proche étant positionnée à l'extrémité de la tige et étant en contact avec un élément de maintien de fil central de type carbone.
(JA) 炭素を含有させることにより、結晶欠陥を抑制したシリコン単結晶の製造方法において、炭素のシリコン融液への混合、溶解が容易である方法を開発することを目的とする。本発明のシリコン単結晶の製造方法は、ルツボに収容されたシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げながら成長させるシリコン単結晶体の製造方法において、該シリコン原料の少なくとも一部として、シーメンス法により製造された多結晶シリコンロッドにおける、ロッド末端に位置するカーボン製芯線保持部材との接触近傍部の破砕物を用いる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)