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1. (WO2016031826) ドーピング方法、及びドーピング用積層体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/031826    国際出願番号:    PCT/JP2015/073893
国際公開日: 03.03.2016 国際出願日: 25.08.2015
予備審査請求日:    01.06.2016    
IPC:
H01L 21/225 (2006.01), H01L 21/22 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01), H01L 31/18 (2006.01)
出願人: TEIJIN LIMITED [JP/JP]; 6-7, Minamihommachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054 (JP)
発明者: IMAMURA, Tetsuya; (JP).
TOMIZAWA, Yuka; (JP).
IKEDA, Yoshinori; (JP)
代理人: AOKI, Atsushi; (JP)
優先権情報:
2014-175834 29.08.2014 JP
2015-067745 27.03.2015 JP
発明の名称: (EN) DOPING METHOD AND LAYERED BODY FOR DOPING
(FR) PROCEDE DE DOPAGE ET CORPS STRATIFIE DE DOPAGE
(JA) ドーピング方法、及びドーピング用積層体
要約: front page image
(EN) Provided is a doping method with which it is possible to omit a step for coating a coating-type diffusion agent onto a base material, and a layered body for doping for use with the doping method. This doping method includes: layering, onto a semiconductor layer or a base material, a layered body for doping (100) having a transparent base material (10) and a light-absorbent dopant film (20) layered on the transparent base material, the layering being carried out such that the light-absorbent dopant film (10) faces the semiconductor layer or a base material (30); and doping the semiconductor layer or the base material (30) with a dopant by irradiating light (50) onto the light-absorbent dopant film (20) through the transparent base material (10), the dopant being derived from the light-absorbent dopant film (20). This layered body for doping (100) has the transparent base material (10) and the light-absorbent dopant film (20) layered on the transparent base material.
(FR) L'invention concerne un procédé de dopage permettant d'omettre une étape de revêtement d'un agent de diffusion du type revêtement sur un matériau de base, et un corps stratifié de dopage s'utilisant avec le procédé de dopage. Ce procédé de dopage consiste à : stratifier, sur une couche semi-conductrice ou sur un matériau de base, un corps stratifié (100) de dopage comportant un matériau de base (10) transparent et un film de dopant (20) absorbant la lumière stratifié sur le matériau de base transparent, la stratification étant mise en oeuvre de sorte que le film dopant (10) absorbant la lumière fait face à la couche semi-conductrice ou au matériau de base (30); et doper la couche semi-conductrice ou le matériau de base (30) à l'aide un dopant par l'application d'une lumière sur le film dopant (20) absorbant la lumière (50) à travers le matériau de base (10) transparent, le dopant provenant du film dopant (20) absorbant la lumière. Ce corps stratifié de dopage (100) comporte le matériau de base (10) transparent et le film dopant (20) absorbant la lumière stratifié sur le matériau de base transparent.
(JA)基材に対して塗布型拡散剤を塗布する工程を省くことができるドーピング方法及びそのためのドーピング用積層体を提供する。 本発明のドーピング方法は、透明基材(10)及び透明基材上に積層されている光吸収性ドーパント膜(20)を有するドーピング用積層体(100)を、光吸収性ドーパント膜(10)が半導体層又は基材(30)に面するようにして、半導体層又は基材に積層し、そして透明基材(10)を通して光吸収性ドーパント膜(20)に光(50)を照射して、光吸収性ドーパント膜(20)に由来するドーパントを半導体層又は基材(30)にドープすることを含む。本発明のドーピング用積層体(100)は、透明基材(10)、及び透明基材上に積層されている光吸収性ドーパント膜(20)を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)