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1. (WO2016031592) 固体撮像装置、および電子装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/031592    国際出願番号:    PCT/JP2015/072947
国際公開日: 03.03.2016 国際出願日: 14.08.2015
IPC:
H01L 27/14 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
出願人: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
発明者: MASUDA Yoshiaki; (JP).
SATO Naoyuki; (JP)
代理人: NISHIKAWA Takashi; (JP)
優先権情報:
2014-174869 29.08.2014 JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置、および電子装置
要約: front page image
(EN)The present disclosure pertains to: a solid-state imaging device which is capable of suppressing reflection of incident light at a wall surface at the light shield layer side of phase difference detection pixels; and an electronic device. According to one aspect of the present disclosure, normal pixels for generating pixel signals and the phase difference detection pixels for generating phase difference signals for image plane phase difference AF are disposed in the solid-state imaging device wherein each of the normal pixels and the phase difference detection pixels comprises a photoelectric conversion layer and a lens for condensing the incident light at the photoelectric conversion layer, each of the phase difference detection pixels comprises a light shield layer having an opening part in which an opening is offset in relation to the optical axis of the lens, and a reflection-preventing part which prevents the reflection of the incident light condensed by the lens part is formed on the light shield layer. The present disclosure can be applied to a backside illumination CIS.
(FR)La présente invention se rapporte à : un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs qui est capable de supprimer la réflexion de la lumière incidente au niveau d'une surface de paroi sur le côté de la couche de protection contre la lumière des pixels de détection de différence de phase ; et à un dispositif électronique. Selon un aspect de la présente invention, des pixels normaux servant à générer des signaux de pixel et des pixels de détection de différence de phase servant à générer des signaux de différence de phase pour une différence de phase de plan d'image AF sont disposés dans le dispositif d'imagerie à semi-conducteurs, chacun des pixels normaux et des pixels de détection de différence de phase comprenant une couche de conversion photoélectrique et une lentille servant à condenser la lumière incidente au niveau de la couche de conversion photoélectrique, chacun des pixels de détection de différence de phase comprenant une couche de protection contre la lumière ayant une partie d'ouverture dans laquelle une ouverture est décalée par rapport à l'axe optique de la lentille, et une partie anti-réflexion qui empêche la réflexion de la lumière incidente condensée par la partie de lentille étant formée sur la couche de protection contre la lumière. La présente invention peut être appliquée à un système d’émission de contenu en flux à rétroéclairage.
(JA) 本開示は、位相差検出画素の遮光層側壁面における入射光の反射を抑止することができるようにする固体撮像装置、および電子装置に関する。 本開示の一側面で会える固体撮像装置は、画素信号を生成するための通常画素と、像面位相差AF用の位相差信号を生成するための位相差検出画素とが配置された固体撮像装置において、前記通常画素および前記位相差検出画素は、それぞれ光電変換層と前記光電変換層に入射光を集光するためのレンズを備え、前記位相差検出画素は、前記レンズの光軸に対して開口を偏らせた開口部を有する遮光層を備え、前記遮光層には、前記レンズ部により集光された前記入射光の反射を防ぐ反射防止部が形成されている。本開示は、裏面照射型CISに適用できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)