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1. (WO2016031334) 窒化物半導体および窒化物半導体の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/031334    国際出願番号:    PCT/JP2015/066092
国際公開日: 03.03.2016 国際出願日: 03.06.2015
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
発明者: OGAWA, Atsushi; .
TOHSAKI, Manabu; .
OKAZAKI, Mai; .
FUJISHIGE, Yohsuke; .
TAJIRI, Masayuki; .
ITO, Nobuyuki;
代理人: SAMEJIMA, Mutsumi; (JP)
優先権情報:
2014-173176 27.08.2014 JP
発明の名称: (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR AND NITRIDE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD
(FR) SEMICONDUCTEUR AU NITRURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SEMICONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体および窒化物半導体の製造方法
要約: front page image
(EN)This nitride semiconductor is provided with a Si substrate (100), and a nitride semiconductor laminated body (200) that is provided on the Si substrate (100), said nitride semiconductor having a rocking curve half value width less than 160 arcsec in X-ray diffraction of the Si substrate (100).
(FR)La présente invention concerne un semi-conducteur au nitrure qui comprend un substrat en Si (100), et un corps stratifié semi-conducteur au nitrure (200) qui est disposé sur le substrat en Si (100), ledit semi-conducteur au nitrure ayant une couche de demi-atténuation de la courbe d'oscillation qui est inférieure à 160 arc/sec lors de la diffraction aux rayons X du substrat en Si (100).
(JA) Si基板(100)と、このSi基板(100)上に設けられた窒化物半導体積層体(200)とを備える窒化物半導体において、Si基板(100)のX線回析におけるロッキングカーブの半値幅が、160arcsec未満である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)