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1. (WO2016031164) 抵抗率制御方法及びn型シリコン単結晶
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/031164    国際出願番号:    PCT/JP2015/004048
国際公開日: 03.03.2016 国際出願日: 14.08.2015
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/04 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
発明者: HOSHI, Ryoji; (JP).
KAMADA, Hiroyuki; (JP).
TAKANO, Kiyotaka; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; (JP)
優先権情報:
2014-175999 29.08.2014 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR CONTROLLING RESISTIVITY AND N-TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE RÉGLAGE DE LA RÉSISTIVITÉ ET MONOCRISTAL DE SILICIUM DE TYPE N
(JA) 抵抗率制御方法及びn型シリコン単結晶
要約: front page image
(EN)The present invention is a method for controlling the resistivity of a grown silicon single crystal by using a dopant, when growing a silicon single crystal by the CZ method. The method is characterized by comprising: a step for initially doping with a primary dopant such that the silicon single crystal has a predetermined conductive type; and a step for additionally continuously or intermittently doping with a secondary dopant, which has a conductive type opposite to that of the primary dopant, according to the solidification ratio represented by the ratio of (crystallized weight)/(initial weight of silicon materials) while growing the silicon single crystal, wherein, in the additional doping step, the additional doping with the secondary dopant is carried out if the solidification ratio is a predetermined value α or more, but e additional doping with the secondary dopant is not carried out before the solidification ratio reaches the predetermined value α. Therefore, a method for controlling the resistivity is provided, which is capable of suppressing a decrease in yield even though a dislocation is generated during the growth of the silicon crystal and is also capable of controlling the resistivity of the silicon single crystal with high precision.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant de régler la résistivité d'un monocristal de silicium développé à l'aide d'un dopant, lors de la croissance d'un monocristal de silicium par le procédé CZ. Le procédé est caractérisé en ce qu'il comprend : une étape de dopage initial utilisant un dopant primaire, de telle sorte que le monocristal de silicium présente un type prédéterminé de conductivité ; et une étape de dopage supplémentaire en continu ou par intermittence avec un dopant secondaire, qui présente un type conducteur opposé à celui du dopant primaire, selon le rapport de solidification représenté par le rapport de (poids cristallisé)/(poids initial des matériaux de silicium) tout en faisant croître le monocristal de silicium. À l'étape de dopage supplémentaire, le dopage supplémentaire avec le second dopant est effectué si le rapport de solidification est une valeur prédéterminée α ou plus, mais le dopage supplémentaire avec le dopant secondaire n'est pas effectué avant que le rapport de solidification n'atteigne la valeur α prédéterminée. Par conséquent, un procédé permettant de régler la résistivité est décrit, qui est apte à supprimer une diminution de rendement même si une dislocation est générée pendant la croissance du cristal de silicium et est également apte à régler la résistivité du monocristal de silicium avec une grande précision.
(JA) 本発明は、CZ法によってシリコン単結晶を育成する際に、育成されるシリコン単結晶の抵抗率をドーパントによって制御する方法であって、前記シリコン単結晶が所定の導電型を有するように主ドーパントを初期ドーピングする工程と、前記シリコン単結晶を育成しながら、(結晶化した重量)/(初期シリコン原料の重量)で表される固化率に応じて、前記主ドーパントと反対の導電型を有する副ドーパントを、連続的又は断続的に追加ドープする工程とを有し、前記追加ドープする工程において、前記固化率が所定値α以上のときに前記副ドーパントを追加ドープし、前記固化率が前記所定値αになる前には前記副ドーパントをドープしないことを特徴とする抵抗率制御方法である。これにより、シリコン単結晶育成中に有転位化が生じても歩留まりの低下を抑制することができ、かつ、シリコン単結晶の抵抗率を精度よく制御することができる抵抗率制御方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)