WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2016031039) エピタキシャル成長用テンプレート及びその作製方法、並びに、窒化物半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/031039    国際出願番号:    PCT/JP2014/072701
国際公開日: 03.03.2016 国際出願日: 29.08.2014
IPC:
C30B 29/38 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)
出願人: SOKO KAGAKU CO., LTD. [JP/JP]; 14th Building, Meijo University, 1-501, Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoya-shi, Aichi 4680073 (JP)
発明者: PERNOT, Cyril; (JP).
HIRANO, Akira; (JP)
代理人: MASAKI, Yoshifumi; (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) TEMPLATE FOR EPITAXIAL GROWTH AND METHOD OF PREPARING SAME, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) GABARIT POUR CROISSANCE ÉPITAXIALE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) エピタキシャル成長用テンプレート及びその作製方法、並びに、窒化物半導体装置
要約: front page image
(EN)Provided is a method of manufacturing a template for epitaxial growth, having: a surface treatment step for dispersing and supplying Ga atoms on a surface of a sapphire substrate; and an AlN growing step for epitaxial growth of an AlN layer on the sapphire substrate; wherein, for a Ga concentration that is obtained by secondary ion mass spectroscopy in an internal region of the AlN layer excluding a surface neighboring region of up to 100 nm deep from the surface of the AlN layer, the maximum value of the Ga concentration within a concentration distribution in a depth direction perpendicular to the surface of the sapphire substrate is obtained at a location in the depth direction that is within an interface neighboring region extending from the interface of the sapphire substrate to a location 400 nm separated therefrom in the direction of the AlN layer, the maximum value of the Ga concentration being 3×1017 atoms/cm3 to 2×1020 atoms/cm3 inclusive.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un modèle pour croissance épitaxiale, comprenant : une étape de traitement de surface permettant de disperser et d'amener des atomes de Ga sur une surface d'un substrat en saphir ; et une étape de croissance d'AlN pour la croissance épitaxiale d'une couche d'AlN sur le substrat en saphir ; pour une concentration en Ga qui est obtenue par spectroscopie de masse des ions secondaires dans une région interne de la couche d'AlN à l'exclusion d'une région voisine de surface allant jusqu'à 100 nm de profondeur à partir de la surface de la couche d'AlN, la valeur maximale de la concentration en Ga dans une distribution de concentration dans une direction de profondeur perpendiculaire à la surface du substrat en saphir étant obtenue au niveau d'un emplacement dans le sens de la profondeur qui se situe à l'intérieur d'une région voisine de l'interface s'étendant depuis l'interface du substrat en saphir jusqu'à un emplacement séparé de celle-ci de 400 nm dans la direction de la couche d'AlN, la valeur maximale de la concentration en Ga allant de 3×1017 atomes/cm3 à 2×1020 atomes/cm3 inclus.
(JA) エピタキシャル成長用テンプレートの作製方法であって、サファイア基板の表面にGa原子を分散して供給する表面処理工程と、前記サファイア基板上にAlN層をエピタキシャル成長させるAlN成長工程を有し、前記AlN層の表面から深さ100nmまでの表面近傍領域を除く前記AlN層の内部領域における2次イオン質量分析法により得られるGa濃度の前記サファイア基板の表面に垂直な深さ方向の濃度分布における前記Ga濃度の最大値を得る前記深さ方向の位置が、前記サファイア基板の界面から前記AlN層側に400nm離間した位置までの界面近傍領域内に存在し、前記Ga濃度の最大値が、3×1017atoms/cm以上、2×1020atoms/cm以下となる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)