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1. (WO2016031019) レーザ照射装置及びレーザ照射方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/031019    国際出願番号:    PCT/JP2014/072586
国際公開日: 03.03.2016 国際出願日: 28.08.2014
IPC:
H01L 21/22 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
出願人: KYUSHU UNIVERSITY, NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION [JP/JP]; 10-1, Hakozaki 6-chome, Higashi-ku, Fukuoka-shi, Fukuoka 8128581 (JP).
GIGAPHOTON INC. [JP/JP]; 400, Oaza Yokokurashinden, Oyama-shi, Tochigi 3238558 (JP)
発明者: WATANABE, Yousuke; (JP).
IKENOUE, Hiroshi; (JP).
WAKABAYASHI, Osamu; (JP)
代理人: TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) LASER IRRADIATION APPARATUS AND LASER IRRADIATION METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ D'IRRADIATION LASER
(JA) レーザ照射装置及びレーザ照射方法
要約: front page image
(EN) A laser irradiation apparatus according to the present disclosure may be provided with: a plasma generation device for supplying plasma including a dopant to a prescribed region of a semiconductor material; a laser device for outputting pulsed laser light; and a control unit configured so as to perform either of a first control for controlling the plasma generation device and the laser device so that at least one pulse of the pulsed laser light is irradiated between starting and stopping the supply of plasma to the prescribed region, or a second control in which at least one pulse of the pulsed laser light is irradiated after the plasma stops being supplied to the prescribed region, the semiconductor material being doped with the dopant.
(FR) Un appareil d'irradiation laser selon la présente invention peut être pourvu : d'un dispositif de génération de plasma destiné à fournir un plasma contenant un dopant à une région prescrite d'une matière semi-conductrice; d'un dispositif laser destiné à émettre une lumière laser pulsée; d'une unité de commande configurée de façon à exécuter soit une première commande pour commander le dispositif de génération de plasma et le dispositif laser de telle sorte qu'au moins une impulsion de la lumière laser pulsée est irradiée entre le début et l'arrêt de la fourniture de plasma à la région prescrite, soit une seconde commande dans laquelle au moins une impulsion de la lumière laser pulsée est irradiée après que le plasma arrête d'être fourni à la région prescrite, la matière semi-conductrice étant dopée avec le dopant.
(JA) 本開示によるレーザ照射装置は、半導体材料の所定の領域に、ドーパントを含むプラズマを供給するプラズマ生成装置と、パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、プラズマ生成装置とレーザ装置とを制御することにより、所定の領域へのプラズマの供給の開始から停止までの間にパルスレーザ光の少なくとも1つのパルスの照射が行われるようにする第1の制御と、所定の領域へのプラズマの供給を停止した後にパルスレーザ光の少なくとも1つのパルスの照射が行われるようにする第2の制御とのいずれか一方を行い、半導体材料にドーパントがドーピングされるようにする制御部とを備えてもよい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)