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1. (WO2016030992) 記憶デバイスおよびストレージ装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/030992    国際出願番号:    PCT/JP2014/072428
国際公開日: 03.03.2016 国際出願日: 27.08.2014
IPC:
G06F 12/16 (2006.01)
出願人: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
発明者: NINOSE, Kenta; (JP).
ITOU, Takuji; (JP).
YOSHIOKA, Fumio; (JP).
TSUNEHIRO, Takashi; (JP).
UEHARA, Go; (JP).
HOMMA, Shigeo; (JP)
代理人: WILLFORT INTERNATIONAL PATENT FIRM; Nihonbashi TC Bldg. 1F, 19-7, Nihonbashi Koamicho, Chuo-ku, Tokyo 1030016 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) MEMORY DEVICE AND STORAGE UNIT
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE ET UNITÉ DE MÉMOIRE
(JA) 記憶デバイスおよびストレージ装置
要約: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to identify the location in a nonvolatile semiconductor memory where a failure has occurred. A device controller according to the present invention reads the data stored in a particular page in a plurality of nonvolatile semiconductor memories, and if the device controller detects an uncorrectable error (UE) in the data stored in the particular page, the device controller performs a diagnostic process to: identify a particular memory circuit, which is the memory circuit including the particular page; read the data stored in some blocks of the particular memory circuit; and on the basis of the read results of the data stored in these blocks, identify the location in the particular memory circuit where the failure has occurred.
(FR)L'objet de la présente invention est d'identifier l'emplacement dans une mémoire à semiconducteur non volatile où une défaillance s'est produite. Un contrôleur de dispositif selon la présente invention lit les données mémorisées dans une page particulière dans une pluralité de mémoires à semiconducteur non volatiles, et si le contrôleur de dispositif détecte une erreur non corrigible (UE) dans les données mémorisées dans la page particulière, le contrôleur de dispositif exécute un processus de diagnostic pour : identifier un circuit de mémoire particulier, qui est le circuit de mémoire comprenant la page particulière ; lire les données mémorisées dans certains blocs du circuit de mémoire particulier ; et sur la base des résultats de lecture des données mémorisées dans ces blocs, identifier l'emplacement dans le circuit de mémoire particulier où la défaillance s'est produite.
(JA) 不揮発性半導体メモリに障害が発生した場合に障害部位を特定する。デバイスコントローラが、複数の不揮発性半導体メモリの中の特定ページに格納されているデータをリードすることにより、特定ページに格納されているデータのアンコレクタブルエラー(UE)を検出した場合、デバイスコントローラは診断処理として、特定ページを含む記憶回路である特定記憶回路を特定し、特定記憶回路の中の一部のブロックに格納されているデータをリードし、ブロックに格納されているデータのリードの結果に基づいて、特定記憶回路内の障害部位を特定する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)