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1. (WO2016030963) 4h-SiC 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、その製造方法、および電力変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/030963    国際出願番号:    PCT/JP2014/072288
国際公開日: 03.03.2016 国際出願日: 26.08.2014
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01)
出願人: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
発明者: YOSHIMOTO Hiroyuki; (JP).
WATANABE Naoki; (JP).
MORITSUKA Tsubasa; (JP).
FUJISAKI Koji; (JP)
代理人: SEIRYO I.P.C.; 7-1, Hatchobori 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040032 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) 4h-SiC INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE À GRILLE ISOLÉE AU 4h-SiC, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE COURANT
(JA) 4h-SiC 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、その製造方法、および電力変換装置
要約: front page image
(EN)A structure of the present invention makes it possible to provide a device having less minority carrier lifetime change due to silicide formation in a collector p+ collector region, and no reliability degradation, such as conduction degradation, since the film thickness of a rear-surface silicide region in contact with a rear-surface collector electrode is less than that of a front-surface silicide layer, said rear-surface silicide region containing Al, less SiC is to be eroded due to silicidation, and a thermal load applied during the silicide formation is small.
(FR)La présente invention concerne une structure qui rend possible de produire un dispositif ayant une plus faible variation de la durée de vie des porteurs minoritaires due à la formation de siliciure dans une zone de collecteur p+, et aucune dégradation de fiabilité, telle qu'une dégradation de conduction, étant donné que l'épaisseur de film d'une zone de siliciure de surface arrière en contact avec une électrode de collecteur de surface arrière est inférieure à celle d'une couche de siliciure de surface avant, ladite zone de siliciure de surface arrière contenant Al, moins de SiC est à éroder du fait de la siliciuration, et la charge thermique appliquée pendant la formation de siliciure est faible.
(JA) 本発明の構造によれば、裏面コレクタ電極に接するAlを含む裏面シリサイド領域の膜厚が表面シリサイド層よりも薄く,シリサイド化により侵食されるSiCが少なく,またシリサイド形成時の熱負荷も少ないために,シリサイド形成によるコレクタp+コレクタ領域中の少数キャリアライフタイムの変化が少なく通電劣化などの信頼性悪化のないデバイスを提供できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)