処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2016017215 - 半導体装置の製造方法および半導体装置

公開番号 WO/2016/017215
公開日 04.02.2016
国際出願番号 PCT/JP2015/061199
国際出願日 10.04.2015
IPC
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
C30B 29/36 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
36炭化物
C30B 31/22 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
31単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質への拡散またはドーブ工程;そのための装置
20電磁波照射または粒子線放射によるドービング
22イオン注入によるもの
H01L 21/20 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H01L 21/265 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26波または粒子の輻射線の照射
263高エネルギーの輻射線を有するもの
265イオン注入法
H01L 21/28 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
CPC
C30B 29/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
C30B 31/185
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
31Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
06by contacting with diffusion material in the gaseous state
18Controlling or regulating
185Pattern diffusion, e.g. by using masks
C30B 31/22
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
31Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
20Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation
22by ion-implantation
C30B 33/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
02Heat treatment
H01L 21/02378
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02378Silicon carbide
H01L 21/02529
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02529Silicon carbide
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 濱田 憲治 HAMADA Kenji
  • 三浦 成久 MIURA Naruhisa
  • 中西 洋介 NAKANISHI Yosuke
代理人
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
優先権情報
2014-15454430.07.2014JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法および半導体装置
要約
(EN)
This semiconductor device manufacturing method is provided with: a step (a) for preparing a SiC epitaxial substrate wherein a SiC epitaxially grown layer is disposed on a SiC supporting substrate, said SiC epitaxially grown layer having an impurity concentration equal to or less than ten-thousandth of that of the SiC supporting substrate, and a thickness equal to or more than 50 μm; a step (b) for forming an impurity region as a part of a first main surface of the SiC epitaxial substrate by selectively implanting impurity ions, said impurity region constituting a semiconductor element; a step (c) for forming an ion implanted region by implanting predetermined ions to a second main surface of the SiC epitaxial substrate, said ion implanted region controlling warping of the SiC epitaxial substrate; and a step (d) for heating the SiC epitaxial substrate after the step (b) and the step (c).
(FR)
Ce procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur comprend: une étape (a) de préparation d'un substrat épitaxial de SiC au cours de laquelle une couche à croissance épitaxiale de SiC est disposée sur un substrat de support de SiC, ladite couche à croissance épitaxiale de SiC ayant une concentration d'impuretés inférieure ou égale à dix-millième de celle du substrat de support de SiC, et une épaisseur égale ou supérieure à 50 μm; une étape (b) de formation d'une région d'impuretés en tant que partie d'une première surface principale du substrat épitaxial de SiC par implantation ionique sélective d'impuretés, ladite région d'impuretés constituant un élément semi-conducteur; une étape (c) de formation d'une région d'implantation ionique par implantation ionique prédéterminée dans une seconde surface principale du substrat épitaxial de SIC, ladite région d'implantation ionique agissant sur le gauchissement du substrat épitaxial de SiC; et une étape (d) de chauffage du substrat épitaxial de SiC après l'étape (b) et l'étape (c).
(JA)
 本発明は半導体装置の製造方法に関し、SiC支持基板上に、前記SiC支持基板に比べて不純物濃度が1万分の1以下であり、かつ厚みが50μm以上のSiCエピタキシャル成長層が配設されたSiCエピタキシャル基板を準備する工程(a)と、前記SiCエピタキシャル基板の第1の主面に、選択的に不純物イオンを注入して半導体素子を構成する不純物領域を形成する工程(b)と、前記SiCエピタキシャル基板の第2の主面に所定のイオンを注入して、前記SiCエピタキシャル基板の反りを制御するイオン注入領域を形成する工程(c)と、前記工程(b)および工程(c)の後に、前記SiCエピタキシャル基板を加熱する工程(d)と、を備えている。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報