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1. (WO2015147295) ハードコート層付高分子基板およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/147295 国際出願番号: PCT/JP2015/059760
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 27.03.2015
IPC:
B32B 9/00 (2006.01) ,C23C 16/42 (2006.01)
B 処理操作;運輸
32
積層体
B
積層体,すなわち平らなまたは平らでない形状,例.細胞状またはハニカム状,の層から組立てられた製品
9
本質的にグループ11/00~29/00に包含されない特殊な物質からなる積層体
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
42
けい化物
出願人:
帝人株式会社 TEIJIN LIMITED [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区南本町1丁目6番7号 6-7, Minamihommachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054, JP
月島機械株式会社 TSUKISHIMA KIKAI CO., LTD. [JP/JP]; 東京都中央区晴海三丁目5番1号 5-1, Harumi 3-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040053, JP
発明者:
金 辰一郎 KON, Tatsuichirou; JP
浴中 達矢 EKINAKA, Tatsuya; JP
岸本 浩 KISHIMOTO, Hiroshi; JP
森田 夢 MORITA, Yume; JP
菅 武宏 SUGA, Takehiro; JP
尾形 聡 OGATA, Satoshi; JP
中込 真人 NAKAGOMI, Masato; JP
代理人:
青木 篤 AOKI, Atsushi; JP
優先権情報:
2014-06691527.03.2014JP
発明の名称: (EN) POLYMER SUBSTRATE WITH HARD COAT LAYER AND MANUFACTURING METHOD FOR SUCH POLYMER SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT POLYMÈRE COMPRENANT UNE COUCHE DE REVÊTEMENT DUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TEL SUBSTRAT POLYMÈRE
(JA) ハードコート層付高分子基板およびその製造方法
要約:
(EN) The present invention achieves a polymer substrate with a hard coat layer, the polymer substrate combining both high environmental resistance and a high degree of abrasion resistance. Provided is a polymer substrate with a hard coat layer, comprising a polymer substrate (60) having a thickness of 1-20mm, and a hard coat layer (70, 80) formed on the surfaces of the substrate. In the polymer substrate with a hard coat layer, the hard coat layer (70, 80) comprises: base cured layers (70) that are laminated on the surfaces of the polymer substrate, that contain as a main component a hydrolysis condensate of an organosilicon compound, and that have a thickness of 0.1-20μm; and a silicon oxide layer (80) that is in direct contact with the base cured layer on a side opposite the polymer substrate, that is formed by an organosilicon compound PE-CVD method, and that satisfies all of conditions (a)-(c) below. (a) The film thickness of the silicon oxide layer is within the range of 3.5-9.0 μm. (b) The maximum indentation depth of the surface of the silicon oxide layer is no more than 150nm according to nano-indentation measurement under maximum load conditions of 1mN. (c) The value of a critical compression rate K of the silicon oxide layer is no more than 0.975 in a three-point bending test of the polymer substrate with a hard coat layer in which indentation displacement is imparted so that the surface onto which the silicon oxide layer is laminated is depressed.
(FR) La présente invention permet d'obtenir un substrat polymère comprenant une couche de revêtement dur, le substrat polymère combinant à la fois une résistance élevée à l'environnement et un degré élevé de résistance à l'abrasion. L'invention concerne un substrat polymère comprenant une couche de revêtement dur, comprenant un substrat polymère (60) ayant une épaisseur de 1 à 20 mm, et une couche de revêtement dur (70, 80) formée sur les surfaces du substrat. Dans le substrat polymère comprenant une couche de revêtement dur, la couche de revêtement dur (70, 80) comprend : des couches durcies de base (70) qui sont stratifiées sur les surfaces du substrat polymère, qui contiennent comme constituant principal un condensat d'hydrolyse d'un composé d'organosilicium, et qui ont une épaisseur de 0,1 à 20 μm ; et une couche d'oxyde de silicium (80) qui est en contact direct avec la couche durcie de base sur un côté en regard du substrat polymère, qui est formée par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma d'un composé d'organosilicium, et qui satisfait à toutes les conditions (a) à (c) ci-dessous. (a) L'épaisseur de film de la couche d'oxyde de silicium est située dans la plage allant de 3,5 à 9,0 µm. (b) La profondeur maximale de pénétration de la surface de la couche d'oxyde de silicium est inférieure ou égale à 150 nm selon la mesure de nano-pénétration dans des conditions de charge maximale de 1 mN. (c) La valeur d'un taux de compression critique K de la couche d'oxyde de silicium est inférieure ou égale à 0,975 dans un essai de flexion en trois points du substrat polymère comprenant une couche de revêtement dur dans lequel le déplacement du pénétrateur est communiqué de telle sorte que la surface sur laquelle est stratifiée la couche d'oxyde de silicium est enfoncée.
(JA) 高い耐環境性と高度な耐磨耗性を兼ね備えたハードコート層付高分子基板を実現する。 厚み1~20mmの高分子基板(60)、およびその表面上のハードコート層(70、80)を具備しているハードコート層付高分子基板を提供する。ここで、このハードコート層付高分子基板では、ハードコート層(70、80)が、高分子基板の表面上に積層されており、有機珪素化合物の加水分解縮合物を主成分として含み、かつ厚みが0.1~20μmである、下地硬化層(70)と、高分子基板と反対側で下地硬化層に直接に接しており、有機珪素化合物のPE-CVD法によって形成され、かつ下記(a)~(c)のすべての要件を満たす、酸化珪素層(80)とを具備してなる:(a)酸化珪素層の膜厚が3.5~9.0μmの範囲にあること、(b)最大荷重1mN条件でのナノインデンテーション測定による酸化珪素層の表面の最大押し込み深さが、150nm以下であること、及び(c)酸化珪素層が積層されている面が凹となる押し込み変位を与えるハードコート層付高分子基板の3点曲げ試験において、酸化珪素層の限界圧縮率Kの値が0.975以下であること。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
EP3124525MX2016012607US20170107345CN106132694KR1020160138047TH169523