国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2015147237) 基板処理装置および基板処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/147237 国際出願番号: PCT/JP2015/059545
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 27.03.2015
IPC:
H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/308 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
308
マスクを用いるもの
出願人:
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神北町1ー1 Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
発明者:
阿野 誠士 ANO Seiji; JP
代理人:
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
優先権情報:
2014-06939228.03.2014JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE TREATMENT DEVICE AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置および基板処理方法
要約:
(EN) The present invention prevents damage to a substrate caused by charge transfer during treatment by a treatment liquid. In a substrate treatment device (1), a dissolution amount of carbon dioxide relative to pure water is controlled by a carbon dioxide dissolution unit (62) so that the specific resistance of an antistatic liquid reaches a target specific resistance. Next, an antistatic liquid supply part (6) supplies the antistatic liquid having a specific resistance greater than that of an SPM liquid onto a substrate (9) in droplet form from an antistatic liquid nozzle (65). The substrate (9) is relatively gently electrostatically discharged as the antistatic liquid in droplet form successively makes contact with the entirety of an upper surface (91) of the substrate (9). After completion of the antistatic treatment, the SPM liquid is supplied onto the substrate (9) by a treatment liquid supply part (3) to execute an SPM treatment. Thereby, the sudden transfer of large-quantity electric charges from the substrate (9) to the SPM liquid is prevented during the SPM treatment, and thus damage to the substrate (9) can be prevented. Further, by maintaining the specific resistance of the antistatic liquid at a target specific resistance, the static eliminating efficiency of the substrate (9) can be improved and the time required for the antistatic treatment can be shortened in a range in which damage to the substrate (9) does not occur.
(FR) La présente invention empêche la détérioration d'un substrat provoquée par le transfert de charge pendant le traitement par un liquide de traitement. Dans un dispositif de traitement de substrat (1), une quantité de dissolution de dioxyde de carbone par rapport à de l'eau pure est contrôlée par une unité de dissolution de dioxyde de carbone (62) de sorte que la résistance spécifique d'un liquide antistatique atteint une résistance spécifique cible. Ensuite, une partie d'alimentation en liquide antistatique (6) fournit le liquide antistatique ayant une résistance spécifique supérieure à celle d'un liquide SPM sur un substrat (9) sous forme de gouttelettes à partir d'une buse de liquide antistatique (65). Le substrat (9) est doucement déchargé de façon électrostatique à mesure que le liquide antistatique sous forme de gouttelettes entre successivement en contact avec la totalité d'une surface supérieure (91) du substrat (9). Après l'achèvement du traitement antistatique, le liquide SPM est disposé sur le substrat (9) par une partie d'alimentation en liquide de traitement (3) pour exécuter un traitement SPM. Ainsi, il est possible d'empêcher le transfert brusque de charges électriques en grande quantité à partir du substrat (9) vers le liquide SPM pendant le traitement SPM, et, par conséquent, les dommages causés au substrat (9) peuvent être empêchés. En outre, en maintenant la résistance spécifique du liquide antistatique à une résistance spécifique cible, le rendement d'élimination statique du substrat (9) peut être amélioré et le temps requis pour le traitement antistatique peut être réduit dans une plage dans laquelle aucun dommage n'est causé au substrat (9).
(JA)  処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止する。基板処理装置1では、二酸化炭素溶解ユニット62により純水に対する二酸化炭素の溶解量を制御して、除電液の比抵抗が目標比抵抗とされる。続いて、除電液供給部6により、SPM液よりも比抵抗が大きい除電液が除電液ノズル65によって液滴状態で基板9上に供給される。基板9の上面91全体に液滴状態の除電液が次々と接触することにより、基板9が比較的緩やかに除電される。そして、除電処理の終了後に、処理液供給部3により基板9上にSPM液が供給されてSPM処理が行われる。これにより、SPM処理の際に、基板9からSPM液へと大量の電荷が急激に移動するのが防止され、基板9の損傷を防止できる。また、除電液の比抵抗を目標比抵抗に維持することにより、基板9の損傷が生じない範囲で、基板9の除電効率を向上し、除電処理に要する時間を短くすることができる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)