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1. (WO2015147134) エピタキシャル成長用基板の製造方法、それより得られるエピタキシャル成長用基板及びその基板を用いた発光素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/147134 国際出願番号: PCT/JP2015/059311
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 26.03.2015
IPC:
H01L 33/22 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
20
特定の形状を有するもの,例.湾曲または面取りされた基板
22
粗面,凹凸面,例.エピタキシャル層の界面にあるもの
出願人:
JX日鉱日石エネルギー株式会社 JX Nippon Oil & Energy Corporation [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目1番2号 1-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008162, JP
発明者:
鳥山 重隆 TORIYAMA, Shigetaka; JP
▲高▼橋 麻登香 TAKAHASHI, Madoka; JP
關 隆史 SEKI, Takashi; JP
西村 涼 NISHIMURA, Suzushi; JP
代理人:
川北 喜十郎 KAWAKITA, Kijuro; JP
優先権情報:
2014-06424326.03.2014JP
2014-06425326.03.2014JP
発明の名称: (EN) EPITAXIAL GROWTH SUBSTRATE PRODUCTION METHOD, EPITAXIAL GROWTH SUBSTRATE OBTAINED THEREFROM, AND LIGHT-EMITTING ELEMENT USING SAID SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT POUR CROISSANCE ÉPITAXIALE, SUBSTRAT POUR CROISSANCE ÉPITAXIALE OBTENU PAR CE PROCÉDÉ, ET ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT UTILISANT LEDIT SUBSTRAT
(JA) エピタキシャル成長用基板の製造方法、それより得られるエピタキシャル成長用基板及びその基板を用いた発光素子
要約:
(EN) The epitaxial growth substrate production method comprises: a coating step of coating an inorganic material (66) over a relief pattern surface of a mold (140); a transfer step (P3) of bringing the inorganic material (66)-coated mold (140) into tight contact with a base material (40) to transfer the inorganic material onto the base material by following the relief pattern; and a curing step of curing the inorganic material (l60) transferred onto the base material. The epitaxial growth substrate can be produced efficiently.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat pour croissance épitaxiale, qui comprend : une étape de revêtement consistant à revêtir d'un matériau inorganique (66) une surface de motif en relief d'un moule (140); une étape de transfert (P3) consistant à amener le moule (140) revêtu du matériau inorganique (66) en contact étroit avec un matériau de base (40) afin de transférer le matériau inorganique sur le matériau de base par suivi du motif en relief; et une étape de durcissement consistant à durcir le matériau inorganique (l60) transféré sur le matériau de base. Le substrat pour croissance épitaxiale peut être produit efficacement.
(JA)  エピタキシャル成長用基板の製造方法は、モールド140の凹凸パターン面に無機材料66を塗布する塗布工程と、前記無機材料66が塗布された前記モールド140と基材40を密着させて前記無機材料を前記凹凸パターンに従って前記基材に転写する転写工程P3と、前記基材に転写された前記無機材料60を硬化させる硬化工程とを有する。エピタキシャル成長用基板を効率よく製造することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2015147134