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1. (WO2015147129) 有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布液、有機トランジスタの製造方法、有機半導体膜の製造方法、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜、有機半導体材料の合成方法
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国際公開番号: WO/2015/147129 国際出願番号: PCT/JP2015/059297
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 26.03.2015
IPC:
H01L 51/30 (2006.01) ,C07D 493/14 (2006.01) ,C07D 495/14 (2006.01) ,C07D 497/14 (2006.01) ,C07D 513/14 (2006.01) ,C07D 517/14 (2006.01) ,C07D 519/00 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/368 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/40 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30
材料の選択
C 化学;冶金
07
有機化学
D
複素環式化合物(高分子化合物C08)
493
縮合系中に異項原子として酸素原子のみを含有する複素環式化合物
12
縮合系が3個の複素環を含有するもの
14
オルソ―縮合系
C 化学;冶金
07
有機化学
D
複素環式化合物(高分子化合物C08)
495
縮合系中に異項原子として硫黄原子のみをもつ少なくても1個の複素環を含有する複素環式化合物
12
縮合系が3個の複素環を含有するもの
14
オルソ―縮合系
C 化学;冶金
07
有機化学
D
複素環式化合物(高分子化合物C08)
497
縮合系中に異項原子として酸素および硫黄原子のみをもつ少なくても1個の複素環を含有する複素環式化合物
12
縮合系が3個の複素環を含有するもの
14
オルソ―縮合系
C 化学;冶金
07
有機化学
D
複素環式化合物(高分子化合物C08)
513
縮合系中に異項原子として窒素および硫黄原子のみをもつ少なくとも1個の複素環を含有し,463/00,477/00,または499/00~507/00のグループに属さない複素環式化合物
12
縮合系が3個の複素環を含有するもの
14
オルソ―縮合系
C 化学;冶金
07
有機化学
D
複素環式化合物(高分子化合物C08)
517
縮合系中に異項原子としてセレン,テルルまたはハロゲン原子をもつ少なくても1個の複素環を含有する複素環式化合物
12
縮合系が3個の複素環を含有するもの
14
オルソ―縮合系
C 化学;冶金
07
有機化学
D
複素環式化合物(高分子化合物C08)
519
相互に,または共有している炭素環系を介して縮合した2個以上の関連する複素環からなる2個以上の系を含有し,453/00から455/00に属さない複素環式化合物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない21/06,21/16および21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
368
液相成長を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
40
このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
国立大学法人 東京大学 THE UNIVERSITY OF TOKYO [JP/JP]; 東京都文京区本郷七丁目3番1号 3-1, Hongo 7-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1138654, JP
発明者:
津山 博昭 TSUYAMA Hiroaki; JP
野村 公篤 NOMURA Kimiatsu; JP
宇佐美 由久 USAMI Yoshihisa; JP
福▲崎▼ 英治 FUKUZAKI Eiji; JP
小柳 雅史 KOYANAGI Masashi; JP
北村 哲 KITAMURA Tetsu; JP
渡邉 哲也 WATANABE Tetsuya; JP
岡本 敏宏 OKAMOTO Toshihiro; JP
竹谷 純一 TAKEYA Junichi; JP
代理人:
特許業務法人特許事務所サイクス SIKS & CO.; 東京都中央区京橋一丁目8番7号 京橋日殖ビル8階 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031, JP
優先権情報:
2014-06311126.03.2014JP
2015-04903612.03.2015JP
発明の名称: (EN) ORGANIC TRANSISTOR, COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL FOR NON-LIGHT-EMITTING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, MATERIAL FOR ORGANIC TRANSISTOR, COATING LIQUID FOR NON-LIGHT-EMITTING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM FOR NON-LIGHT-EMITTING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR SYNTHESIZING ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL
(FR) TRANSISTOR ORGANIQUE, COMPOSÉ, MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE NON ÉLECTROLUMINESCENT, MATÉRIAU POUR TRANSISTOR ORGANIQUE, LIQUIDE DE REVÊTEMENT POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE NON ÉLECTROLUMINESCENT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR ORGANIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE NON ÉLECTROLUMINESCENT, ET PROCÉDÉ DE SYNTHÈSE DE MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
(JA) 有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布液、有機トランジスタの製造方法、有機半導体膜の製造方法、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜、有機半導体材料の合成方法
要約:
(EN) An organic transistor that has a semiconductor active layer containing a compound that can be represented by formula (1) and has a molecular weight of 3,000 or less exhibits high carrier mobility (X represents an oxygen, sulfur, selenium, or tellurium atom or NR5; each Y and Z represents CR6, an oxygen, sulfur, selenium, or nitrogen atom, or NR7; the rings containing Y and Z are aromatic heterocycles; R1 or R2 may be bound to the corresponding aromatic heterocycle containing a Y and a Z via a specific divalent linking group; alternatively, R3 or R4 may be bound to the corresponding benzene ring via a specific divalent linking group; R1, R2, and R5 through R8 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, alkynyl group, an aryl group, or a heteroaryl group; R3 and R4 each represent an alkyl group, an alkenyl group, alkynyl group, an aryl group, or a heteroaryl group; and m and n represent integers between 0 and 2, inclusive); a compound, an organic semiconductor material for a non-light-emitting organic semiconductor device, a material for an organic transistor, a coating liquid for a non-light-emitting organic semiconductor device, a method for manufacturing an organic transistor, a method for manufacturing an organic semiconductor film, an organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device, and a method for synthesizing an organic semiconductor material. (1)
(FR) L'invention concerne un transistor organique, qui comporte une couche active semi-conductrice contenant un composé qui peut être représenté par la formule (1) et qui a un poids moléculaire de 3000 ou moins, possédant une grande mobilité des porteurs (X représente un atome d'oxygène, de soufre, de sélénium ou de tellure ou NR5 ; Y et Z représentent chacun CR6, un atome d'oxygène, de soufre, de sélénium ou d'azote, ou NR7 ; les cycles contenant Y et Z sont des hétérocycles aromatiques ; R1 ou R2 peut être lié à l'hétérocycle aromatique correspondant contenant un Y et un Z par l'intermédiaire d'un groupe de liaison divalent spécifique ; selon une variante, R3 ou R4 peut être lié au cycle benzénique correspondant par l'intermédiaire d'un groupe de liaison divalent spécifique ; R1, R2, et R5 à R8 représentent chacun un atome d'hydrogène, un groupe alkyle, un groupe alcényle, un groupe alcynyle, un groupe aryle ou un groupe hétéroaryle ; R3 et R4 représentent chacun un groupe alkyle, un groupe alcényle, un groupe alcynyle, un groupe aryle ou un groupe hétéroaryle ; et m et n représentent des nombres entiers compris entre 0 et 2 inclus) ; un composé, un matériau semi-conducteur organique pour dispositif à semi-conducteur organique non électroluminescent, un matériau pour transistor organique, un liquide de revêtement pour dispositif à semi-conducteur organique non électroluminescent, un procédé de fabrication d'un transistor organique, un procédé de fabrication d'un film semi-conducteur organique, un film semi-conducteur organique pour dispositif à semi-conducteur organique non électroluminescent, et un procédé de synthèse d'un matériau semi-conducteur organique. (1)
(JA) 下記式で表され、かつ、分子量が3000以下である化合物を含む半導体活性層を有する有機トランジスタは、キャリア移動度が高い(Xは酸素、硫黄、セレン、テルル原子又はNR;Y及びZはCR、酸素、硫黄、セレン、窒素原子又はNR;Y及びZを含む環は芳香族ヘテロ環;R及びRのいずれか一方とY及びZを含む芳香族ヘテロ環、或いは、R及びRのいずれか一方とベンゼン環は特定の2価の連結基を介して結合してもよい;R、R、R~Rは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はヘテロアリール基;R及びRはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はヘテロアリール基;m及びnは0から2の整数);化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布液、有機トランジスタの製造方法、有機半導体膜の製造方法、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜、有機半導体材料の合成方法。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN106104833EP3125322KR1020160126040