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1. (WO2015147106) 化合物半導体太陽電池の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/147106 国際出願番号: PCT/JP2015/059256
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 25.03.2015
IPC:
H01L 31/0749 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072
電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0749
AIBIIICVI化合物を含む,例.CdS/CuInSe2 ヘテロ接合太陽電池
出願人:
株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 大阪府大阪市北区中之島二丁目3番18号 3-18, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288, JP
発明者:
日野 将志 HINO, Masashi; JP
市川 満 ICHIKAWA, Mitsuru; JP
目黒 智巳 MEGURO, Tomomi; JP
代理人:
新宅 将人 SHINTAKU, Masato; JP
優先権情報:
2014-06261725.03.2014JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PILE SOLAIRE DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
(JA) 化合物半導体太陽電池の製造方法
要約:
(EN) A solar cell according to the present invention comprises, on a polyimide film (2), a metal layer (3) and a chalcopyrite compound semiconductor layer (4) in this order. A production method according to the present invention comprises, in the following order: a step for casting and applying a polyimide precursor solution onto a supporting base (1) that contains an alkali metal; a step for forming a laminate, which comprises a polyimide film (2), on the supporting base (1) by imidizing the polyimide precursor by heating; a step for forming a metal layer (3) on the polyimide film (2) of the laminate; and a step for forming a chalcopyrite compound semiconductor layer (4) on the metal layer (3).
(FR) Une cellule solaire selon la présente invention comprend, sur un film de polyimide (2), une couche de métal (3) et une couche de semi-conducteur composé de chalcopyrite (4) dans cet ordre. Un procédé de production selon la présente invention comprend, dans l'ordre suivant : une étape de moulage et d'application d'une solution de précurseur de polyimide sur une base de support (1) qui contient un métal alcalin; une étape de formation d'un stratifié, qui comprend un film de polyimide (2), sur la base de support (1) par imidation du précurseur de polyimide par chauffage; une étape de formation d'une couche métallique (3) sur le film de polyimide (2) du stratifié; et une étape de formation d'une couche de semi-conducteur composé de chalcopyrite (4) sur la couche de métal (3).
(JA)  本発明の太陽電池は、ポリイミドフィルム(2)上に、金属層(3)およびカルコパイライト型化合物半導体層(4)をこの順に有する、本発明の製造方法は、アルカリ金属を含む支持基体(1)上にポリイミド前駆体溶液を流延塗布する工程;ポリイミド前駆体を加熱によりイミド化して、支持基体(1)上にポリイミドフィルム(2)を備える積層体を形成する工程;記積層体のポリイミドフィルム(2)上に金属層(3)を形成する工程;および金属層(3)上にカルコパイライト型化合物半導体層(4)を形成する工程を、この順に有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
EP3125308US20170110620