16:00 CETの火曜日 19.11.2019のメンテナンス理由で数時間使用できません
国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2015147101) β-Ga2O3単結晶層の製造方法、β―Ga2O3単結晶層付きサファイア基板、β―Ga2O3自立単結晶及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/147101 国際出願番号: PCT/JP2015/059242
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 25.03.2015
IPC:
C30B 29/16 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,C23C 16/40 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
16
酸化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
08
酸化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
40
酸化物
出願人:
独立行政法人物質・材料研究機構 NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE [JP/JP]; 茨城県つくば市千現一丁目2番地1 2-1, Sengen 1-chome, Tsukuba-shi, Ibaraki 3050047, JP
発明者:
大島 祐一 Oshima, Yuichi; JP
ガルシア ビジョラ エンカルナシオン アントニア Garcia Villora Encarnacion Antonia; JP
島村 清史 Shimamura, Kiyoshi; JP
代理人:
相川 俊彦 AIKAWA, Toshihiko; JP
優先権情報:
2014-06248325.03.2014JP
2014-16031106.08.2014JP
発明の名称: (EN) MANUFACTURING METHOD FOR β-GA2O3 SINGLE CRYSTAL LAYER, SAPPHIRE SUBSTRATE HAVING β-GA2O3 SINGLE CRYSTAL LAYER, FREE-STANDING β-GA2O3 SINGLE CRYSTAL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE DE MONOCRISTAL DE SS-GA2O3, SUBSTRAT DE SAPHIR PRÉSENTANT UNE COUCHE DE MONOCRISTAL DE SS-GA2O3, MONOCRISTAL ISOLÉ DE SS-GA2O3 ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ
(JA) β-Ga2O3単結晶層の製造方法、β―Ga2O3単結晶層付きサファイア基板、β―Ga2O3自立単結晶及びその製造方法
要約:
(EN) The present invention addresses the problem of providing an easy and low-cost manufacturing method for a β-Ga2O3 single crystal layer using vapor phase epitaxy, a sapphire substrate having a β-Ga2O3 single crystal layer, and a β-Ga2O3 free-standing single crystal, and a manufacturing method therefor. The problem can be solved by using a manufacturing method for a β-Ga2O3 single crystal layer characterized by using a single crystal substrate having a surface that has a similar atomic arrangement to the plane in which a β-Ga2O3 crystal epitaxially grows but is not rotationally symmetrical, and forming a β-Ga2O3 single crystal layer on the surface not having rotational symmetry. Also provided is a sapphire substrate having a β-Ga2O3 single crystal layer and a free-standing β-Ga2O3 single crystal and a manufacturing method therefor.
(FR) Le problème de la présente invention concerne un procédé, facile et peu onéreux, de production d'une couche de monocristal de ß-Ga2O3 à l'aide d'une épitaxie en phase vapeur, un substrat de saphir présentant une couche de monocristal de ß-Ga2O3 et un monocristal isolé de ß-Ga2O3 ainsi qu'un procédé de fabrication associé. Le problème peut être résolu par l'utilisation d'un procédé de production d'une couche de monocristal de ß-Ga2O3, caractérisé par l'utilisation d'un substrat de monocristal doté d'une surface qui présente un agencement atomique similaire au plan dans lequel un cristal de ß-Ga2O3 croît de manière épitaxiale, mais qui n'est pas symétrique en rotation, et par la formation d'une couche de monocristal de ß-Ga2O3 sur la surface ne présentant pas de symétrie de rotation. L'invention concerne également un substrat de saphir présentant une couche de monocristal de ß-Ga2O3 et un monocristal isolé de ß-Ga2O3 ainsi qu'un procédé de production associé.
(JA)  気相成長法で、容易かつ安価なβ-Ga単結晶層の製造方法及びβ―Ga単結晶層付きサファイア基板、β―Ga自立単結晶板及びその製造方法を提供することを課題とする。β―Ga結晶がエピタキシャル成長する面との原子配列の類似性を有するが回転対称性を有さない面を備える単結晶基板を用いて、前記回転対称性を有さない面上にβ―Ga単結晶層を形成することを特徴とするβ―Ga単結晶層の製造方法を用いることによって前記課題を解決できる。また、β―Ga単結晶層付きサファイア基板及びβ―Ga自立単結晶並びにそれらの製造方法を提供する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)