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1. (WO2015147038) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/147038 国際出願番号: PCT/JP2015/059086
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 25.03.2015
IPC:
H01L 21/302 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683
支持または把持のためのもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
出願人:
株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 東京都千代田区外神田四丁目14番1号 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980, JP
発明者:
柳沢 愛彦 YANAGISAWA, Yoshihiko; JP
野内 英博 YANAI, Hidehiro; JP
優先権情報:
2014-06406926.03.2014JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND RECORDING MEDIUM
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体
要約:
(EN) Provided is a configuration having: a processing chamber for processing a substrate having a silicon film formed on at least a part of a surface thereof; a lift mechanism for lifting a substrate placing unit, on which the substrate is to be placed; a first gas supply system that supplies a halogen-containing processing gas to the substrate; a second gas supply system that supplies, to the substrate, an inert gas for discharging the processing gas to the outside of the processing chamber; a gas release unit that is provided close to a side wall of the processing chamber for the purpose of releasing the processing gas and the inert gas; and a control unit that controls the lift mechanism, the first gas supply system, and the second gas supply system such that, in a state wherein the height of the substrate placing unit and that of the gas release unit are adjusted, the processing gas is supplied, the inert gas is supplied from an upper section of the substrate to a center section of the substrate after the processing gas is supplied, the inert gas is radially flowed on a surface of the substrate from the center section of the substrate to an end section of the substrate, and the inert gas is discharged to the outside of the processing chamber through the gas release unit.
(FR) L'invention concerne une configuration ayant : une chambre de traitement pour traiter un substrat comportant un film de silicium formé sur au moins une partie d'une surface de celui-ci; un mécanisme de levage permettant de lever une unité de placement de substrat, sur laquelle le substrat doit être placé; un premier système d'alimentation en gaz qui fournit un gaz de traitement contenant un halogène sur le substrat; un second système d'alimentation en gaz qui fournit, sur le substrat, un gaz inerte pour décharger le gaz de traitement à l'extérieur de la chambre de traitement; une unité de libération de gaz qui est prévue à proximité d'une paroi latérale de la chambre de traitement dans le but de libérer le gaz de traitement et le gaz inerte; et une unité de commande qui commande le mécanisme de levage, le premier système d'alimentation en gaz, et le second système d'alimentation en gaz de telle sorte que, dans un état dans lequel la hauteur de l'unité de mise en place de substrat et celle de l'unité de libération de gaz est réglée le gaz de traitement est fourni, le gaz inerte est alimenté à partir d'une section supérieure du substrat à une section centrale du substrat après que le gaz de traitement est fourni, le gaz inerte est amené à s'écouler radialement sur une surface du substrat à partir de la section centrale du substrat à une section d'extrémité du substrat, et le gaz inerte est déchargé à l'extérieur de la chambre de traitement à travers l'unité de libération de gaz.
(JA) 少なくとも表面の一部にシリコン膜が形成された基板を処理する処理室と、前記基板に載置する基板載置部を昇降させる昇降機構と、ハロゲン元素を含む処理ガスを前記基板に供給する第1ガス供給系と、前記処理ガスを前記処理室外に排出するための不活性ガスを前記基板に供給する第2ガス供給系と、前記処理ガス及び前記不活性ガスを排気するために、前記処理室の側壁近傍に設けられた排気部と、前記基板載置部と前記排気部との高さを調整した状態で、前記処理ガスを供給し、前記処理ガス供給後、前記不活性ガスが前記基板の上部から前記基板の中心部に供給され、前記不活性ガスが前記基板の表面を前記基板の中心部から前記基板の端部まで放射状に流れ、前記排気部を介して前記処理室外に排出されるように、前記昇降機構、前記第1ガス供給系及び前記第2ガス供給系を制御する制御部と、を有する構成が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN105981135US20160379848JPWO2015147038