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1. (WO2015147011) シリコン材料研磨用組成物
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/147011 国際出願番号: PCT/JP2015/058979
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 24.03.2015
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 37/00 (2012.01) ,C09K 3/14 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K
他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3
物質であって,他に分類されないもの
14
抗スリップ物質;研摩物質
出願人:
株式会社フジミインコーポレーテッド FUJIMI INCORPORATED [JP/JP]; 愛知県清須市西枇杷島町地領二丁目1番地1 1-1, Chiryo 2-chome, Nishibiwajima-cho, Kiyosu-shi, Aichi 4528502, JP
発明者:
今尾 智宏 IMAO, Tomohiro; JP
▲高▼橋 修平 TAKAHASHI, Shuhei; JP
森 嘉男 MORI, Yoshio; JP
代理人:
安部 誠 ABE Makoto; JP
優先権情報:
2014-06690127.03.2014JP
発明の名称: (EN) COMPOSITION FOR SILICON MATERIAL POLISHING
(FR) COMPOSITION POUR POLISSAGE DE MATÉRIAU DE SILICIUM
(JA) シリコン材料研磨用組成物
要約:
(EN) A composition for silicon material polishing according to the present invention has a pH of 8-12, and contains abrasive grains, water, a compound expressed by formula (A), and a compound expressed by formula (B) (R1-R4 are selected from the group comprising an alkyl group that has four or less carbon atoms, a hydroxyalkyl group that has four of less carbon atoms, and an aryl group that may be substituted; X- is an anion) (X1 represents a hydrogen atom, an amino group, or a bond to a C1 atom, and in the event of a bond to a C1 atom, an H1 atom is not present) (X2 represents a hydrogen atom, an amino group, an aminoalkyl group, or a bond to a C1 atom, and in the event of a bond to a C1 atom, a C1-N1 bond is a double bond, and an H2 atom is not present; 1 is 1-6, m is 1-4, and n is 0-4).
(FR) Une composition pour polissage de matériau de silicium selon la présente invention a un pH de 8-12, et contient des grains abrasifs, de l'eau, un composé exprimé par la formule (A) et un composé exprimé par la formule (B) (R1-R4 sont choisis parmi le groupe comprenant un groupe alkyle qui a quatre atomes de carbone ou moins, un groupe hydroxyalkyle qui a quatre atomes de carbone de moins, et un groupe aryle qui peut être substitué; X- est un anion) (X1 représente un atome d'hydrogène, un groupe amino ou une liaison à un atome de C1, et dans le cas d'une liaison à un atome de C1, un atome de H1 n'est pas présent) (X2 représente un atome d'hydrogène, un groupe amino, un groupe aminoalkyle ou une liaison à un atome de C1, et dans le cas d'une liaison à un atome de C1, une liaison C1-N1 est une liaison double, et un atome de H2 n'est pas présent ; 1 est 1-6, m est 1-4, et n est 0-4).
(JA)  本発明に係るシリコン材料研磨用組成物は、砥粒と水と一般式(A)で表される化合物と一般式(B)で表される化合物とを含み、pHが8~12である。 (R~Rは、炭素原子数4以下のアルキル基、炭素原子数4以下のヒドロキシアルキル基、および置換されていてもよいアリール基からなる群から選択される。Xはアニオン。)(Xは、水素原子、アミノ基、もしくはC原子への結合を表す。C原子への結合の場合、H原子は存在しない。Xは、水素原子、アミノ基、アミノアルキル基もしくはC原子への結合を表す。C原子への結合の場合、C-N結合は二重結合となり、H原子は存在しない。lは1~6、mは1~4、nは0~4。)
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)