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1. (WO2015146978) 複合基板およびそれを用いた半導体ウエハの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/146978 国際出願番号: PCT/JP2015/058910
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 24.03.2015
IPC:
C30B 25/18 (2006.01) ,C30B 29/38 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25
反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02
エピタキシャル層成長
18
基板によって特徴づけられたもの
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
38
窒化物
出願人:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
発明者:
佐藤 一成 SATOH, Issei; JP
山本 喜之 YAMAMOTO, Yoshiyuki; JP
長谷川 幹人 HASEGAWA, Masato; JP
辻 裕 TSUJI, Yutaka; JP
藤井 明人 FUJII, Akihito; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島二丁目2番7号 中之島セントラルタワー Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2014-06186225.03.2014JP
発明の名称: (EN) COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER USING SAME
(FR) SUBSTRAT COMPOSITE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT
(JA) 複合基板およびそれを用いた半導体ウエハの製造方法
要約:
(EN) A composite substrate (1) comprises a support substrate (11) with a thermal conductivity at 1050°C of 3Wm-1°C-1 to 20Wm-1°C-1 and a semiconductor film (13) disposed on the principal surface (11m) side of the support substrate (11) and having a thickness of at least 10 µm. The ratio between the mean coefficient of thermal expansion of the support substrate (11) from 25°C to 800°C in a direction parallel to the principal surface (11m) to the mean coefficient of thermal expansion of the semiconductor film (13) from 25°C to 800°C in the direction parallel to the principal surface (13m) is greater than 0.9 and less than 1.1. Due to this configuration, a composite substrate favorable for the efficient manufacture of high-quality semiconductor wafers with low warpage is provided, and so is a method for manufacturing a semiconductor wafer using this composite substrate.
(FR) Cette invention concerne un substrat composite (1) comprenant un substrat de support (11) ayant une conductivité thermique à 1050°C de 3 Wm- 1°C-1 à 20 Wm-1°C-1 et un film semi-conducteur (13) disposé côté surface principale (11m) du substrat de support (11) et ayant une épaisseur d'au moins 10 µm. Le rapport entre le coefficient moyen de dilatation thermique du substrat de support (11) de 25 à 800°C dans une direction parallèle à la surface principale (11m) et le coefficient moyen de dilatation thermique du film semi-conducteur (13) de 25 à 800°C dans une direction parallèle à la surface principale (13m) est supérieur à 0,9 et inférieur à 1,1. Cette configuration permet d'obtenir un substrat composite utile pour la fabrication efficace de plaquettes de semi-conducteurs de haute qualité présentant un faible gauchissement. Un procédé de fabrication d'une plaquette de semi-conducteur utilisant le substrat composite selon l'invention est en outre décrit.
(JA)  複合基板(1)は、1050℃における熱伝導率が3Wm-1-1以上20Wm-1-1以下である支持基板(11)と、支持基板(11)の主面(11m)側に配置されている厚さ10μm以上の半導体膜(13)と、を含み、半導体膜(13)の主面(13m)に平行な一方向における25℃から800℃までの平均熱膨張係数に対する、支持基板(11)の主面(11m)に平行な上記一方向における25℃から800℃までの平均熱膨張係数の比が、0.9より大きく1.1より小さい。これにより、反りの小さい高品質の半導体ウエハを効率よく製造するために好適な複合基板およびそれを用いた半導体ウエハの製造方法が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)