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1. (WO2015146950) 保護層形成用組成物、積層体およびキット
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/146950 国際出願番号: PCT/JP2015/058832
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 24.03.2015
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683
支持または把持のためのもの
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
吉田 昌史 YOSHIDA Masafumi; JP
小山 一郎 KOYAMA Ichiro; JP
代理人:
特許業務法人特許事務所サイクス SIKS & CO.; 東京都中央区京橋一丁目8番7号 京橋日殖ビル8階 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031, JP
優先権情報:
2014-06638627.03.2014JP
発明の名称: (EN) COMPOSITION FOR FORMING PROTECTIVE LAYER, LAMINATE AND KIT
(FR) COMPOSITION POUR LA FORMATION D'UNE COUCHE DE PROTECTION, STRATIFIÉ ET KIT
(JA) 保護層形成用組成物、積層体およびキット
要約:
(EN) Provided are: a composition for forming a protective layer, which is not susceptible to the formation of a recessed and projected pattern in a silicon substrate-side surface (polished surface) of a device wafer after polishing of a silicon substrate of the device wafer, and which is capable of adequately forming an electrode at a high temperature by a CVD process; a laminate which has a protective layer that is obtained using this composition for forming a protective layer; and this composition for forming a protective layer. A composition for forming a protective layer for bonding a wafer and a supporting substrate with each other, which contains a resin having a melt flow rate of 4-150 g/10 min or less at 200˚C under a load of 10 kg in accordance with JIS K-7210. This composition for forming a protective layer has a Young's modulus of 0.02 GPa or less in accordance with JIS K-7127.
(FR) L'invention concerne : une composition destinée à la formation d'une couche de protection, qui n'est pas sujette à la formation d'un motif évidé et en saillie dans une surface côté substrat de silicium (surface polie) d'une tranche de dispositif après le polissage d'un substrat de silicium de la tranche de dispositif et qui est susceptible de former de manière adéquate une électrode à une température élevée par un procédé CVD ; un stratifié qui présente une couche de protection obtenue à l'aide de cette composition pour la formation d'une couche de protection ; et cette composition destinée à la formation d'une couche de protection. L'invention concerne une composition destinée à la formation d'une couche de protection pour la liaison d'une tranche et d'un substrat de support l'un à l'autre, qui contient une résine ayant un taux d'écoulement à l'état fondu de 4 à 150 g/10 mn ou moins à 200 °C sous une charge de 10 kg, conformément à la norme JIS K-7210. Cette composition destinée à la formation d'une couche de protection comprend un module de Young de 0,02 GPa ou moins, conformément à la norme JIS K-7127.
(JA)  デバイスウェハのシリコン基板を研磨した後、デバイスウェハのシリコン基板側の面(研磨面)に凹凸形状が発生しにくく、かつ、高温でCVD工程によって電極を適切に形成できる保護層形成用組成物、上記保護層形成用組成物を用いてなる保護層を有する積層体、および上記保護層形成用組成物の提供。 JIS K-7210に準拠した10kg荷重における200℃でのメルトフローレートが4~150g/10min以下である樹脂を含む、ウェハと支持基板とを接着するための保護層形成用組成物であって、上記保護層形成用組成物のJIS K-7127に準拠したヤング率が0.02GPa以下である、保護層形成用組成物。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)