国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2015146927) 半導体素子及び絶縁層形成用組成物
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/146927 国際出願番号: PCT/JP2015/058776
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 23.03.2015
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,C08F 12/22 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
12
ただ1つの炭素-炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,その少なくとも1つが芳香族炭素環によって停止されている化合物の単独重合体または共重合体
02
1個の不飽和脂肪族基を含有する単量体
04
1個の環を含有するもの
14
異種原子または異種原子含有基で置換されたもの
22
酸素
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
312
有機物層,例.フォトレジスト
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30
材料の選択
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
永田 裕三 NAGATA, Yuzo; JP
滝沢 裕雄 TAKIZAWA, Hiroo; JP
土村 智孝 TSUCHIMURA, Tomotaka; JP
代理人:
飯田 敏三 IIDA, Toshizo; JP
優先権情報:
2014-06456026.03.2014JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT AND INSULATING-LAYER-FORMING COMPOSITION
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSITION DE FORMATION DE COUCHE ISOLANTE
(JA) 半導体素子及び絶縁層形成用組成物
要約:
(EN) A semiconductor element that has a semiconductor layer and an insulating layer adjacent to said semiconductor layer, wherein the insulating layer contains a macromolecular compound that has a repeat structure that can be represented by general formula (1); and an insulating-layer-forming composition, for forming an insulating layer for a semiconductor element, that contains a macromolecular compound that has a repeat structure that can be represented by general formula (1). General formula (1) In general formula (1), R1 represents a hydrogen atom or a methyl; Ar represents an aromatic ring; X represents an acyl group; m represents an integer from 1 to 5; and if said integer is greater than or equal to 2, the m Xs may be the same as or different from each other.
(FR) L'invention porte sur un élément semi-conducteur qui comprend : une couche semi-conductrice et une couche isolante adjacente à ladite couche semi-conductrice, la couche isolante contenant un composé macromoléculaire dont la structure de répétition peut être représentée par la formule générale (1) ; et une composition de formation de couche isolante conçue pour former une couche isolante destinée à un élément semi-conducteur et contenant un composé macromoléculaire dont la structure de répétition peut être représentée par la formule générale (1). Formule générale (1) Dans la formule générale (1), R1 représente un atome d'hydrogène ou un méthyle, Ar représente un noyau aromatique, X représente un groupe acyle, m représente un nombre entier de 1 à 5, et, si ledit entier est supérieur ou égal à 2, les m X peuvent être identiques ou différents les uns des autres.
(JA)  半導体層とこの半導体層に隣接する絶縁層とを有する半導体素子において、前記絶縁層が下記一般式(1)で表される繰り返し構造を有する高分子化合物を含有する半導体素子、及び、半導体素子の絶縁層を形成するための絶縁層形成用組成物であって、下記一般式(1)で表される繰り返し構造を有する高分子化合物を含有する絶縁層形成用組成物。 一般式(1)中、Rは水素原子又はメチルを表す。Arは芳香族環を表す。Xはアシル基を表す。mは1~5の整数を表し、mが2以上の場合、m個のXは互いに同一でも異なっていてもよい。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)