16:00 CETの火曜日 19.11.2019のメンテナンス理由で数時間使用できません
国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2015146757) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/146757 国際出願番号: PCT/JP2015/058156
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 19.03.2015
IPC:
H01L 21/265 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
263
高エネルギーの輻射線を有するもの
265
イオン注入法
出願人:
住友重機械工業株式会社 SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 東京都品川区大崎二丁目1番1号 1-1, Osaki 2-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1416025, JP
発明者:
川▲崎▼ 輝尚 KAWASAKI, Teruhisa; JP
代理人:
来山 幹雄 KITAYAMA, Mikio; JP
優先権情報:
2014-06104525.03.2014JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約:
(EN) In the present invention, a dopant is ion-implanted into a semiconductor layer comprising a III-V compound semiconductor having nitrogen as a V-group element. A first activation annealing is then performed on the semiconductor layer having the ion-implanted dopant using a heat-treating furnace under temperature conditions of 700°C to 900°C. After the first activation annealing is performed, a second activation annealing is performed by irradiating the semiconductor layer with a pulsed laser beam. This manufacturing method can improve a dopant activation rate.
(FR) Selon la présente invention, un dopant est implanté par implantation ionique dans une couche semi-conductrice comprenant un semi-conducteur de composés des groupes III-V comportant de l'azote en tant qu'élément du groupe V. Un premier recuit d'activation est ensuite exécuté sur la couche semi-conductrice comportant le dopant ayant fait l'objet d'une implantation ionique au moyen d'un four de traitement thermique dans des conditions de température située dans la plage allant de 700 °C à 900 °C. Suite à l'exécution du premier recuit d'activation, un second recuit d'activation est exécuté par exposition de la couche semi-conductrice à un faisceau laser pulsé. Ledit procédé de fabrication permet d'améliorer un taux d'activation de dopant.
(JA)  V属元素として窒素を含むIII-V族化合物半導体からなる半導体層に、ドーパントをイオン注入する。イオン注入されたドーパントを含む半導体層に対して、温度700℃以上900℃以下の条件で、熱処理炉を用いて第1の活性化アニールを行う。第1の活性化アニールを行った後、半導体層にパルスレーザビームを入射させることにより、第2の活性化アニールを行う。上述の方法により、ドーパントの活性化率の向上を図ることができる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
DE112015001424US20170011924