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1. (WO2015146745) 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/146745 国際出願番号: PCT/JP2015/058061
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 18.03.2015
IPC:
C04B 35/00 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/363 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
C 化学;冶金
04
セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B
石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35
組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
08
酸化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない21/06,21/16および21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
363
物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
出願人:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
発明者:
宮永 美紀 MIYANAGA, Miki; JP
綿谷 研一 WATATANI, Kenichi; JP
曽我部 浩一 SOGABE, Koichi; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島二丁目2番7号 中之島セントラルタワー Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2014-06149325.03.2014JP
2015-01669530.01.2015JP
発明の名称: (EN) OXIDE SINTERED COMPACT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, SPUTTERING TARGET, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) COMPRIMÉ FRITTÉ D'OXYDE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, CIBLE DE PULVÉRISATION ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス
要約:
(EN) Provided are: an oxide sintered compact comprising indium, tungsten, and zinc, the oxide sintered compact comprising a bixbyite-type crystal phase as a primary component, the apparent density being greater than 6.5 g/cm3 and no greater than 7.1 g/cm3, and the tungsten content with respect to the total content of indium, tungsten, and zinc being greater than 1.2 at% and less than 30 at%; a sputtering target comprising this oxide sintered compact; and a semiconductor device (10) comprising an oxide semiconductor film (14) formed by the sputtering method using this sputtering target.
(FR) L'invention concerne : un comprimé fritté d'oxyde comprenant de l'indium, du tungstène et du zinc, le comprimé fritté d'oxyde comprenant une phase cristalline de type bixbyite en tant que constituant primaire, la densité apparente étant supérieure à 6,5 g/cm3 et n'étant pas supérieure à 7,1 g/cm3 et la teneur en tungstène, par rapport à la teneur totale en indium, en tungstène et en zinc, étant supérieure à 1,2 % en atome et inférieure à 30 % en atome ; une cible de pulvérisation comprenant ce comprimé fritté d'oxyde ; et un dispositif semi-conducteur (10) comprenant un film d'oxyde semi-conducteur (14) formé par le procédé de pulvérisation à l'aide de cette cible de pulvérisation.
(JA)  インジウムと、タングステンと、亜鉛と、を含む酸化物焼結体であって、ビックスバイト型結晶相を主成分として含み、見かけ密度が6.5g/cm3より大きく7.1g/cm3以下であり、インジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対するタングステンの含有率が1.2原子%より大きく30原子%より小さく、インジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対する亜鉛の含有率が1.2原子%より大きく30原子%より小さい酸化物焼結体、これを含むスパッタターゲット、ならびに当該スパッタターゲットを用いてスパッタ法により形成した酸化物半導体膜(14)を含む半導体デバイス(10)が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JP2015193525KR1020150143812CN105246856EP2980041US20170022602KR1020170049630
JP2016216346