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1. (WO2015146659) 組成物、アンダーフィル用積層体、積層体、半導体デバイスの製造方法、および、半導体デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/146659 国際出願番号: PCT/JP2015/057634
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 16.03.2015
IPC:
C08F 2/44 (2006.01) ,C08K 5/103 (2006.01) ,C08L 69/00 (2006.01) ,G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/032 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01)
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
2
重合方法
44
配合成分,例.可塑剤,染料,充填剤,の存在下における重合
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
K
無機または非高分子有機物質の添加剤としての使用(ペイント,インキ,ワニス,染料,艶出剤,接着剤C09)
5
有機配合成分の使用
04
酸素含有化合物
10
エステル;エーテルエステル
101
モノカルボン酸の
103
多価アルコールとの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L
高分子化合物の組成物
69
ポリカーボネートの組成物;ポリカーボネートの誘導体の組成物
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
04
クロム酸塩
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
027
炭素-炭素二重結合を有する非高分子光重合性化合物,例.エチレン化合物
032
結合剤をもつもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
29
材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
31
配列に特徴のあるもの
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
小山 一郎 KOYAMA Ichiro; JP
吉田 健太 YOSHIDA Kenta; JP
代理人:
特許業務法人特許事務所サイクス SIKS & CO.; 東京都中央区京橋一丁目8番7号 京橋日殖ビル8階 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031, JP
優先権情報:
2014-06129125.03.2014JP
発明の名称: (EN) COMPOSITION, LAMINATE FOR UNDERFILL, LAMINATE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) COMPOSITION, STRATIFIÉ POUR MATÉRIAU DE REMPLISSAGE DIÉLECTRIQUE, STRATIFIÉ, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 組成物、アンダーフィル用積層体、積層体、半導体デバイスの製造方法、および、半導体デバイス
要約:
(EN) Provided are: a composition which has excellent storage stability, coatability and curability and is capable of forming a film having low water absorption and excellent heat resistance; a laminate for underfill; a laminate using same; a method for manufacturing a semiconductor device; and a semiconductor device. This composition contains a polycarbonate resin, a polymerizable compound and a solvent. The solvent is contained in the composition in an amount of 50% by mass or more, and 50% by mass or more of the solvent is composed of an aprotic solvent having a boiling point of 130°C or more and a molecular weight of 75 or more. It is preferable that the polycarbonate resin has a repeating unit represented by general formula (1). In general formula (1), each of Ar1 and Ar2 independently represents an aromatic group; and L represents a single bond or a divalent linking group.
(FR) L'invention concerne : une composition qui présente une excellente stabilité de stockage, une excellente aptitude au revêtement et une excellente aptitude au durcissement et qui permet de former un film présentant une faible absorption d'eau et une excellente résistance à la chaleur ; un stratifié pour matériau de remplissage diélectrique ; un stratifié l'utilisant ; un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur ; et un dispositif semi-conducteur. Cette composition contient une résine de polycarbonate, un composé polymérisable et un solvant. Le solvant est contenu dans la composition en une quantité de 50 % en masse ou plus et 50 % en masse ou plus du solvant sont constitués d'un solvant aprotique présentant un point d'ébullition de 130°C ou plus et un poids moléculaire de 75 ou plus. Il est préférable que la résine de polycarbonate présente un motif récurrent représenté par la formule générale (1). Dans la formule générale (1), chacun de Ar1 et Ar2 représente, indépendamment, un groupe aromatique ; et L représente une simple liaison ou un groupe de liaison divalent.
(JA)  保存安定性、塗布性および硬化性に優れ、吸水性が低く、耐熱性に優れた膜を形成可能な組成物、アンダーフィル用積層体、これらを用いた積層体、半導体デバイスの製造方法ならびに半導体デバイスを提供する。 この組成物は、ポリカーボネート樹脂と、重合性化合物と、溶剤とを含有し、溶剤を組成物中に50質量%以上含有し、溶剤のうち50質量%以上が、沸点が130℃以上で、分子量が75以上である非プロトン性溶剤である。ポリカーボネート樹脂は、一般式(1)で表される繰り返し単位を有することが好ましい。一般式(1)中、Ar1およびAr2は、それぞれ独立に芳香族基を表し、Lは、単結合または2価の連結基を表す。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)