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1. (WO2015146637) 基板処理装置、温度制御方法及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/146637 国際出願番号: PCT/JP2015/057490
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 13.03.2015
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,C23C 16/46 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
46
基板を加熱するのに使われる方法に特徴があるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
出願人:
株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 東京都千代田区外神田四丁目14番1号 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980, JP
発明者:
余川 孝士 YOKAWA, Takashi; JP
水口 靖裕 MIZUGUCHI, Yasuhiro; JP
野村 誠 NOMURA, Makoto; JP
斉藤 一人 SAITO, Kazuhito; JP
優先権情報:
2014-06145725.03.2014JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, TEMPERATURE CONTROL METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MEMORY MEDIUM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE COMMANDE DE TEMPÉRATURE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET SUPPORT DE MÉMOIRE
(JA) 基板処理装置、温度制御方法及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体
要約:
(EN) A control device: sets the power fed to one of at least two regions by a power feed unit to a power determined according to the product of a predetermined power ratio value and a reference power fed to the other of the at least two regions; measures the substrate temperature while controlling a substrate heating unit so that the substrate temperature reaches a first control temperature, which is higher than a target temperature, using each of the abovementioned power values; selects, from the measurement results, a power ratio value at which the in-plane temperature uniformity in the substrate is the most favorable, and the average temperature value at this power ratio value; subsequently measures, in the same manner as that in the case of the first control temperature, the substrate temperature with regards to a second control temperature, for which the substrate temperature is lower than the target temperature; selects, from the measurement results, a power ratio value at which the in-plane temperature uniformity in the substrate is the most favorable, and the average temperature value at this power ratio value; and calculates a power ratio value and a control temperature with respect to the target temperature on the basis of the selected average temperature value and the power ratio value for each of the first control temperature and the second control temperature.
(FR) L'invention concerne un dispositif de commande qui : règle la puissance fournie à une région parmi au moins deux régions par une unité d'alimentation en énergie à une puissance déterminée en fonction du produit d'une valeur de rapport de puissance prédéterminée et d'une puissance de référence fournie à une autre région desdites au moins deux régions ; mesure la température du substrat tout en commandant une unité de chauffage de substrat de manière que la température du substrat atteigne une première température de commande, qui est supérieure à une température cible, à l'aide de chacune des valeurs de puissance susmentionnées ; sélectionne, à partir des résultats de mesure, une valeur de rapport de puissance à laquelle l'uniformité de température dans le plan du substrat est la plus favorable, et la valeur de température moyenne à cette valeur de rapport de puissance ; mesure ensuite, de la même manière que dans le cas de la première température de commande, la température du substrat pour une seconde température de commande, pour laquelle la température du substrat est inférieure à la température cible ; sélectionne, à partir des résultats de mesure, une valeur de rapport de puissance à laquelle l'uniformité de température dans le plan du substrat est la plus favorable, et la valeur de température moyenne à cette valeur de rapport de puissance ; et calcule une valeur de rapport de puissance et une température de commande pour la température cible sur la base de la valeur de température moyenne sélectionnée et de la valeur de rapport de puissance pour chacune de la première température de commande et de la seconde température de commande.
(JA) 制御装置は、電力供給部が少なくとも2つの領域のうちいずれか一方の領域に供給する電力を、前記少なくとも2つの領域のうちいずれか他方の領域に供給する基準の電力と所定の電力比率値との積に従って定まる電力とし、各々の前記電力を用いて基板の温度が目標温度よりも高い第一制御温度となるように基板加熱部を制御しつつ基板の温度を測定し、測定結果のうちの基板の面内温度均一性が最も良好な電力比率値と該電力比率値のときの温度平均値をそれぞれ選択した後、基板の温度が目標温度よりも低い第二制御温度についても第一制御温度と同様に基板の温度を測定し、測定結果のうちの基板の面内温度均一性が最も良好な電力比率値と該電力比率値のときの温度平均値をそれぞれ選択し、選択された第一制御温度と第二制御温度のそれぞれにおける温度平均値と電力比率値に基づいて、目標温度に対する制御温度及び電力比率値を算出する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)