国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2015146635) 基板処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/146635 国際出願番号: PCT/JP2015/057482
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 13.03.2015
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
出願人:
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神北町1番地の1 Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
発明者:
吉田 武司 YOSHIDA, Takeshi; JP
代理人:
松阪 正弘 MATSUSAKA, Masahiro; JP
優先権情報:
2014-06861828.03.2014JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE-PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置
要約:
(EN)  In a substrate-processing device (1), a gas is fed, in a chamber (21), from above a shielding plate (51) into a lid interior space (231), whereby the air pressure in the lid interior space (231) becomes higher than the air pressure in the body interior space (221), and the gas in the lid interior space (231) is delivered into the body interior space (221). The gas delivered into the lid interior space (231) is suctioned by a body discharge port (226a) provided lower than a substrate (9) of the body interior space (221), and discharged from the chamber (21). A substantially cylindrical gas flow is thereby formed in the chamber (21). A processing solution is fed onto the upper surface (91) of the substrate (9) inside the substantially cylindrical gas flow; therefore, it is possible to prevent mist, fumes, etc. of the processing solution from passing through the substantially cylindrical gas flow and entering the lid interior space (231) via a gap between the shielding plate (51) and a lid bottom surface part (234).
(FR)  Dans un dispositif de traitement de substrat (1), un gaz est acheminé dans une chambre (21), depuis le dessus d'une plaque de blindage (51) à l'intérieur d'un espace intérieur de couvercle (231), la pression d'air dans l'espace intérieur de couvercle (231) devenant par là-même supérieure à la pression d'air de l'espace intérieur de corps (221), et le gaz qui se trouve dans l'espace intérieur de couvercle (231) étant introduit dans l'espace intérieur de corps (221). Le gaz introduit dans l'espace intérieur de couvercle (231) est aspiré par un orifice de d'évacuation (226a) de corps se trouvant au-dessous d'un substrat (9) de l'espace intérieur de corps (221), et est évacué de la chambre (21). Un écoulement de gaz sensiblement cylindrique se forme ainsi dans la chambre (21). Une solution de traitement est acheminée sur la surface supérieure (91) du substrat (9) à l'intérieur de l'écoulement de gaz sensiblement cylindrique ; par conséquent, il est possible d'éviter qu'un brouillard, des fumées, etc., de la solution de traitement ne traversent l'écoulement de gaz sensiblement cylindrique et ne pénètrent dans l'espace intérieur de couvercle (231) par l'intermédiaire d'un espace séparant la plaque de blindage (51) et une partie de surface inférieure (234) de couvercle.
(JA)  基板処理装置(1)では、チャンバ(21)内において、遮蔽板(51)よりも上方から蓋内部空間(231)にガスが供給されることにより、蓋内部空間(231)の気圧が本体内部空間(221)の気圧よりも高くなり、蓋内部空間(231)のガスが本体内部空間(221)へと送出される。また、蓋内部空間(231)から流入したガスは、本体内部空間(221)の基板(9)よりも下方に設けられた本体排出ポート(226a)により吸引されてチャンバ(21)外へと排出される。これにより、略円筒状のガスの気流が、チャンバ(21)内に形成される。基板(9)の上面(91)に対する処理液の供給は、当該略円筒状の気流の内部にて行われるため、処理液のミストやヒューム等が、略円筒状の気流を通過して遮蔽板(51)と蓋底面部(234)との間の間隙から蓋内部空間(231)へと進入することを抑制することができる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020160121580CN106133882US20170148648