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1. (WO2015146543) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/146543 国際出願番号: PCT/JP2015/056637
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 06.03.2015
IPC:
C23C 16/455 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01) ,H01L 21/318 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
455
ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
318
窒化物からなるもの
出願人:
株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 東京都千代田区外神田四丁目14番1号 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980, JP
発明者:
佐々木 隆史 SASAKI, Takafumi; JP
うるし原 美香 URUSHIHARA, Mika; JP
山口 天和 YAMAGUCHI, Takatomo; JP
優先権情報:
2014-06481826.03.2014JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND COMPUTER-READABLE RECORDING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF D’ENREGISTREMENT LISIBLE PAR ORDINATEUR
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to shorten time required for gas exchange within a shower head. A method for manufacturing a semiconductor device uses a substrate processing device provided with a processing chamber for processing a substrate, a shower head for supplying processing gas inside of the processing chamber, and an exhaust unit for exhausting processing gas from within the processing chamber, the shower head being provided with a gas introduction opening for introducing the processing gas into the shower head, a gas spray opening for spraying the processing gas within the shower head into the processing chamber, and a gas exhaust opening for exhausting the processing gas in the shower head to the exhaust unit. The method comprises a gas introduction step such that, while introducing the processing gas into the shower head, the processing gas introduced is sprayed into the processing chamber from the gas spray opening and also exhausted from the gas exhaust opening to the exhaust unit.
(FR) L’objet de la présente invention est de raccourcir le temps nécessaire pour l’échange de gaz dans une pomme de douche. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur qui utilise un dispositif de traitement de substrat pourvu d'une chambre de traitement pour traiter un substrat, une pomme de douche pour alimenter un gaz de traitement à l'intérieur de la chambre de traitement, et une unité d'échappement pour évacuer un gaz de traitement depuis l'intérieur de la chambre de traitement, la pomme de douche étant pourvue d'une ouverture d'introduction de gaz pour introduire le gaz de traitement dans la pomme de douche, une ouverture de pulvérisation de gaz pour pulvériser le gaz de traitement à l'intérieur de la pomme de douche dans la chambre de traitement, et une ouverture d'échappement de gaz pour évacuer le gaz de traitement dans la pomme de douche vers l'unité d'échappement. Le procédé comprend une étape d'introduction de gaz telle que, en introduisant le gaz de traitement dans la pomme de douche, le gaz de traitement introduit est pulvérisé dans la chambre de traitement depuis l'ouverture de pulvérisation de gaz et également évacué depuis l'ouverture d'échappement de gaz vers l'unité d'échappement.
(JA) シャワーヘッド内のガス置換に要する時間を短縮する。基板を処理する処理室と、前記処理室内へ処理ガスを供給するシャワーヘッドと、前記処理室内の処理ガスを排出する排気部と、を備え、前記シャワーヘッドは、前記シャワーヘッド内へ処理ガスを導入するガス導入口と、前記シャワーヘッド内の処理ガスを前記処理室内へ噴出するガス噴出口と、前記シャワーヘッド内の処理ガスを前記排気部へ排出するガス排気口と、を備える基板処理装置を用いる半導体装置の製造方法において、前記シャワーヘッド内へ処理ガスを導入しつつ、前記導入した処理ガスを、前記ガス噴出口から前記処理室内へ噴出するとともに、前記ガス排気口から前記排気部へ排出するガス導入工程を備える。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)