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1. (WO2015146524) パターン形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/146524 国際出願番号: PCT/JP2015/056437
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 04.03.2015
IPC:
G03F 7/26 (2006.01) ,G03F 7/11 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
発明者:
石川 真義 ISHIKAWA Masayoshi; JP
田中 博允 TANAKA Hiromitsu; JP
河津 智晴 KAWAZU Tomoharu; JP
鈴木 準也 SUZUKI Junya; JP
瀬古 智昭 SEKO Tomoaki; JP
滝本 嘉夫 TAKIMOTO Yoshio; JP
代理人:
天野 一規 AMANO Kazunori; JP
優先権情報:
2014-06095924.03.2014JP
発明の名称: (EN) PATTERN FORMING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF
(JA) パターン形成方法
要約:
(EN) The present invention is a pattern forming method which comprises: a step for forming a resist underlayer film on one surface of a substrate; a step for forming a silicon-containing film on a surface of the resist underlayer film, said surface being on the reverse side of the substrate-side surface; and a step for removing the silicon-containing film with use of a basic aqueous solution. This pattern forming method does not comprise a step for processing the silicon-containing film with use of a processing liquid containing an acid or a fluorine compound after the silicon-containing film formation step and before the silicon-containing film removal step. It is preferable that the silicon-containing film is formed of a hydrolysis-condensation product of a composition that contains a compound represented by formula (1) in an amount of 60% by mole or more of all silicon compounds. SiX4 (1) (In formula (1), X represents a halogen atom or -OR2; and R2 represents a monovalent organic group.)
(FR) La présente invention concerne un procédé de formation de motif qui comprend : une étape de formation d'un film de sous-couche de réserve sur une surface d'un substrat ; une étape de formation d’un film contenant du silicium sur une surface du film de sous-couche de réserve, ladite surface étant sur le côté opposé à la surface côté substrat ; et une étape d’élimination du film contenant du silicium au moyen d'une solution aqueuse basique. Ce procédé de formation de motif ne comprend pas une étape de traitement du film contenant du silicium au moyen d'un liquide de traitement contenant un acide ou un composé fluoré après l'étape de formation de film contenant du silicium et avant l'étape d’élimination du film contenant du silicium. Il est préférable que le film contenant du silicium soit formé d'un produit d'hydrolyse-condensation d'une composition qui contient un composé représenté par la formule (1) dans une quantité de 60 % en moles ou plus de tous les composés de silicium. SiX4 (1) (dans la formule (1), X représente un atome d’halogène ou -OR2 ; et R2 représente un groupe organique monovalent.)
(JA)  本発明は、基板の一方の面側にレジスト下層膜を形成する工程、上記レジスト下層膜における上記基板とは反対の面側にケイ素含有膜を形成する工程、及び塩基性水溶液により上記ケイ素含有膜を除去する工程を有し、上記ケイ素含有膜形成工程の後かつ上記ケイ素含有膜除去工程前に、上記ケイ素含有膜を酸又はフッ素化合物を含有する処理液により処理する工程を有しないパターン形成方法である。上記ケイ素含有膜は、下記式(1)で表される化合物を全ケイ素化合物中60モル%以上含む組成物の加水分解縮合物から形成されることが好ましい。 SiX (1) (式(1)中、Xは、ハロゲン原子又は-ORである。Rは、1価の有機基である。)
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2015146524KR1020160135216