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1. (WO2015146523) パターン形成方法、樹脂及びレジスト下層膜形成組成物
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/146523 国際出願番号: PCT/JP2015/056424
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 04.03.2015
IPC:
G03F 7/26 (2006.01) ,C08G 8/04 (2006.01) ,G03F 7/11 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
8
アルデヒドまたはケトンのフェノールのみとの重縮合体
04
アルデヒドの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
発明者:
青木 俊 AOKI Shun; JP
田中 博允 TANAKA Hiromitsu; JP
若松 剛史 WAKAMATSU Goji; JP
滝本 嘉夫 TAKIMOTO Yoshio; JP
石川 真義 ISHIKAWA Masayoshi; JP
木村 徹 KIMURA Toru; JP
代理人:
天野 一規 AMANO Kazunori; JP
優先権情報:
2014-06096024.03.2014JP
発明の名称: (EN) PATTERN-FORMING METHOD, RESIN, AND RESIST UNDERLAYER FORMING COMPOSITION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, RÉSINE ET COMPOSITION DE FORMATION DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE
(JA) パターン形成方法、樹脂及びレジスト下層膜形成組成物
要約:
(EN)  The present invention is a pattern-forming method having a step for forming a resist underlayer film on one surface of a substrate, a step for forming a silicon-containing film on the surface of the resist underlayer film opposite the substrate, and a step for removing at least a part of the resist underlayer film and the silicon-containing film using a basic aqueous solution. Before the step for forming the silicon-containing film and the step for removing the resist underlayer film and the silicon-containing film, it is preferable to also have a step for forming a resist pattern on the surface of the silicon-containing film opposite the substrate, and a step for etching the silicon-containing film using the resist pattern as a mask.
(FR)  La présente invention concerne un procédé de formation de motif comportant une étape de formation d'un film de sous-couche de réserve sur une surface d'un substrat, une étape de formation d'un film contenant du silicium sur la surface du film de sous-couche de réserve à l'opposé du substrat, et une étape d'élimination d'au moins une partie du film de sous-couche de réserve et du film contenant du silicium à l'aide d'une solution aqueuse basique. Avant l'étape de formation du film contenant du silicium et l'étape d'élimination du film de sous-couche de réserve et du film contenant du silicium, il est préférable de disposer également d'une étape de formation d'un motif de réserve sur la surface du film contenant du silicium à l'opposé du substrat, et d'une étape de gravure du film contenant du silicium en utilisant le motif de réserve comme masque.
(JA)  本発明は、基板の一方の面側にレジスト下層膜を形成する工程、上記レジスト下層膜における上記基板とは反対の面側にケイ素含有膜を形成する工程、及び塩基性水溶液により上記レジスト下層膜及び上記ケイ素含有膜のそれぞれ少なくとも一部を除去する工程を有するパターン形成方法である。上記ケイ素含有膜形成工程後かつ上記レジスト下層膜及びケイ素含有膜除去工程前に、上記ケイ素含有膜における上記基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程、及び上記レジストパターンをマスクとして上記ケイ素含有膜をエッチングする工程をさらに有することが好ましい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2015146523KR1020160136316