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1. (WO2015146422) マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および半導体デバイスの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/146422 国際出願番号: PCT/JP2015/055128
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 24.02.2015
IPC:
G03F 1/30 (2012.01) ,C23C 14/06 (2006.01) ,G03F 1/58 (2012.01) ,G03F 1/80 (2012.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
26
位相シフトマスク;PSMブランク;その準備
30
交互PSM,例.渋谷・レベンソンPSM;その準備
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
54
吸収材,例.不透明な材料
58
2つ以上の異なる吸収材層,例.積層された複数層の吸収材
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
68
グループG03F1/20からG03F1/50に包含されない準備プロセス
80
エッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
HOYA株式会社 HOYA CORPORATION [JP/JP]; 東京都新宿区西新宿六丁目10番1号 6-10-1 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1608347, JP
発明者:
宍戸 博明 SHISHIDO, Hiroaki; JP
野澤 順 NOZAWA, Osamu; JP
打田 崇 UCHIDA, Takashi; JP
代理人:
池田 憲保 IKEDA, Noriyasu; JP
優先権情報:
2014-06981228.03.2014JP
発明の名称: (EN) MASK BLANK, PHASE-SHIFT-MASK PRODUCTION METHOD, PHASE SHIFT MASK, AND SEMICONDUCTOR-DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MASQUE À DÉCALAGE DE PHASE, MASQUE À DÉCALAGE DE PHASE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および半導体デバイスの製造方法
要約:
(EN) This mask blank is provided with a structure obtained by stacking, upon a light-transmitting substrate (10), a light-blocking film (11) and a hard mask film (13), in that order from the light-transmitting substrate side. The hard mask film is formed from a material including at least one element selected from silicon and tantalum. The light-blocking film is formed from a material including chrome, and is provided with a structure obtained by stacking 3 layers, namely a lower layer (11a), an intermediate layer (11b), and an upper layer (11c), in that order from the light-transmitting substrate side. The upper layer has the lowest chrome content in the light-blocking film. The intermediate layer has the highest chrome content in the light-blocking film, and includes at least one metal selected from indium, tin, and molybdenum.
(FR) La présente invention concerne une ébauche de masque qui est pourvue d'une structure obtenue par empilement, sur un substrat (10) à transmission de lumière, un film (11) de blocage de lumière et un film (13) de masque dur, dans cet ordre à partir du côté substrat à transmission de lumière. Le film de masque dur est formé à partir d'un matériau qui comprend au moins un élément choisi parmi le silicium et le tantale. Le film de blocage de lumière est formé à partir d'un matériau comprenant du chrome et il est pourvu d'une structure obtenue en empilant 3 couches, à savoir une couche inférieure (11a), une couche intermédiaire (11b) et une couche supérieure (11c), dans cet ordre à partir du côté substrat à transmission de lumière. La couche supérieure a la plus faible teneur en chrome dans le film de blocage de lumière. La couche intermédiaire a la plus haute teneur en chrome dans le film de blocage de lumière et comprend au moins un métal sélectionné parmi l'indium, l'étain et le molybdène.
(JA) 透光性基板上10に、当該透光性基板側から順に遮光膜11およびハードマスク膜13を積層した構造を有するマスクブランクであって、前記ハードマスク膜は、ケイ素及びタンタルから選ばれる少なくとも1以上の元素を含有する材料で形成され、前記遮光膜は、クロムを含有する材料で形成され、前記透光性基板側から順に下層11a、中間層11bおよび上層11cの3層を積層した構造を有し、前記上層は、クロムの含有量が前記遮光膜の中で最も少なく、前記中間層は、クロムの含有量が前記遮光膜の中で多く、かつインジウム、スズおよびモリブデンから選ばれる少なくとも1以上の金属元素を含有している。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20170068155KR1020160137980