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1. (WO2015146328) 半導体デバイス、表示パネル、表示装置、電子装置、および、半導体デバイスの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/146328 国際出願番号: PCT/JP2015/053649
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 10.02.2015
IPC:
G09F 9/33 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01)
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30
必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
33
半導体装置,ダイオード,があるもの
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30
必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60
動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
29
材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
31
配列に特徴のあるもの
出願人:
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
発明者:
鈴木 淳 SUZUKI, Jun; JP
代理人:
丸島 敏一 MARUSHIMA, Toshikazu; JP
優先権情報:
2014-06288726.03.2014JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY PANEL, DISPLAY DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, PANNEAU D'AFFICHAGE, DISPOSITIF D'AFFICHAGE, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体デバイス、表示パネル、表示装置、電子装置、および、半導体デバイスの製造方法
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to suppress the generation of voids in a semiconductor device. These semiconductor devices (210, 220) are provided with semiconductor elements (211, 221), a plurality of signal lines (212, 222), and a protective layer (240). In the semiconductor devices, the semiconductor elements are provided on a substrate (250). The plurality of signal lines in the semiconductor devices are connected to the semiconductor elements on the substrate. The protective layer of the semiconductor devices is provided in a region between signal lines that is surrounded by the ends of two adjacent signal lines from among the plurality of signal lines on the substrate.
(FR) La présente invention a pour but de supprimer la génération de vides dans un dispositif à semi-conducteurs. Ces dispositifs à semi-conducteurs (210, 220) comportent des éléments semi-conducteurs (211, 221), une pluralité de lignes de signal (212, 222) et une couche de protection (240). Dans les dispositifs à semi-conducteurs, les éléments semi-conducteurs sont disposés sur un substrat (250). La pluralité de lignes de signal dans les dispositifs à semi-conducteurs sont connectées aux éléments semi-conducteurs sur le substrat. La couche de protection des dispositifs à semi-conducteurs est disposée dans une région entre des lignes de signal qui est entourée par les extrémités de deux lignes de signal adjacentes parmi la pluralité de lignes de signal sur le substrat.
(JA) 本発明は半導体デバイスにおいてボイドの発生を抑制するためのものである。本発明の半導体デバイス(210、220)は、半導体素子(211、212)と、複数の信号線(212、222)と、保護層(240)とを具備する。この半導体デバイスにおいて、半導体素子は、基板(250)に設けられる。また、その半導体デバイスにおける複数の信号線は、基板において半導体素子に接続される。さらに、その半導体デバイスにおいて保護層は、基板において複数の信号線のうち隣り合う2つの信号線のそれぞれの両端に囲まれた信号線間領域に設けられる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20170117262KR1020160136305