国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2015146320) 炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャル基板およびこれらの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/146320 国際出願番号: PCT/JP2015/053509
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 09.02.2015
IPC:
C30B 29/36 (2006.01) ,B24B 37/10 (2012.01) ,C23C 16/42 (2006.01) ,C30B 25/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
36
炭化物
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
04
平面を加工するために設計されたもの
07
工作物またはラップ工具の動きに特徴のあるもの
10
片面ラッピングのためのもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
42
けい化物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25
反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02
エピタキシャル層成長
18
基板によって特徴づけられたもの
20
基板がエピタキシャル層と同一物質であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
発明者:
本家 翼 HONKE, Tsubasa; JP
沖田 恭子 OKITA, Kyoko; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島二丁目2番7号 中之島セントラルタワー Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2014-06830828.03.2014JP
発明の名称: (EN) SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, EPITAXIAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND PROCESSES FOR PRODUCING SAID SUBSTRATES
(FR) SUBSTRAT DE CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, SUBSTRAT DE CARBURE DE SILICIUM ÉPITAXIAL ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DESDITS SUBSTRATS
(JA) 炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャル基板およびこれらの製造方法
要約:
(EN) A single-crystal silicon carbide substrate (1) which includes a first main surface (1b) and a second main surface (1a) on the reverse side from the first main surface (1b). The first main surface (1b) has a maximum diameter of 100 mm or larger. The first main surface (1b) includes a first central region (IRb), which is the first main surface (1b) excluding a region (ORb) extending from the periphery to 3 mm inward therefrom. When the first central region (IRb) is divided into first square regions in each of which each side has a length of 250 µm, the first square regions each have an arithmetic average roughness (Sa) less than 0.2 nm and have an oxygen concentration of 5 at.% or higher but less than 20 at.%. Thus, a single-crystal silicon carbide substrate and an epitaxial silicon carbide substrate which are effective in reducing the occurrence of vacuum holding failures are provided, and processes for producing the substrates are provided.
(FR) La présente invention concerne un substrat de carbure de silicium monocristallin (1) qui comprend une première surface principale (1b) et une seconde surface principale (1a) sur la face inverse à la première surface principale (1b). La première surface principale (1b) possède un diamètre maximal supérieur ou égal à 100 mm. La première surface principale (1b) comprend une première région centrale (IRb), qui est la première surface principale (1b) à l'exception d'une région (ORb) s'étendant depuis la périphérie jusqu’à 3 mm vers l'intérieur de celle-ci. La première région centrale (IRb) étant divisée en des premières régions de forme carrée dans chacune desquelles chaque face a une longueur de 250 µm, les premières régions carrées ont chacune une rugosité moyenne arithmétique (Sa) inférieure à 0,2 nm et ont une concentration en oxygène supérieure ou égale à 5 % atomique, mais inférieure à 20 % atomique. Ainsi, la présente invention concerne un substrat de carbure de silicium monocristallin et un substrat de carbure de silicium épitaxial qui sont efficaces dans la réduction de l'apparition de défaillances de maintien du vide et concerne des procédés de production desdits substrats.
(JA)  炭化珪素単結晶基板(1)は、第1の主面(1b)と、第1の主面(1b)と反対側の第2の主面(1a)とを備える。第1の主面(1b)の最大径は100mm以上である。第1の主面(1b)は、外周から3mm以内の領域(ORb)を除いた第1の中央領域(IRb)を含む。第1の中央領域(IRb)を一辺が250μmの第1の正方形領域に分割した場合において、いずれの第1の正方形領域においても、第1の正方形領域の算術平均粗さ(Sa)は0.2nm未満であり、かつ第1の正方形領域における酸素濃度は5原子%以上20原子%未満である。これにより、真空吸着不良を低減可能な、炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャル基板およびこれらの製造方法を提供する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20170073837DE112015001512CN106133209DE202015009496