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1. (WO2015146311) Al-Te-Cu-Zr合金からなるスパッタリングターゲット及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/146311 国際出願番号: PCT/JP2015/053326
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 06.02.2015
予備審査請求日: 10.06.2015
IPC:
C23C 14/34 (2006.01) ,C22C 21/00 (2006.01) ,C22C 30/02 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 49/00 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
21
アルミニウム基合金
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
30
各成分を50重量%未満含有する合金
02
銅を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
45
電位障壁または表面障壁をもたず,整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される固体装置,例.誘電体三極素子;オブシンスキー効果装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
49
27/00~47/00および51/00に分類されず,他のサブクラスにも分類されない固体装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
JX金属株式会社 JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目1番2号 1-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164, JP
発明者:
小井土 由将 KOIDO Yoshimasa; JP
代理人:
小越 勇 OGOSHI Isamu; JP
優先権情報:
2014-06914228.03.2014JP
発明の名称: (EN) SPUTTERING TARGET COMPRISING Al-Te-Cu-Zr ALLOY, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION CONTENANT UN ALLIAGE Al-Te-Cu-Zr ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) Al-Te-Cu-Zr合金からなるスパッタリングターゲット及びその製造方法
要約:
(EN) An Al-Te-Cu-Zr alloy sputtering target characterized by comprising 20 to 40 at% of Te, 5 to 20 at% of Cu, 5 to 15 at% of Zr and a remainder made up by Al, wherein a Te phase, a Cu phase and a CuTe phase do not exist in the target structure. The present invention addresses the problem of providing: an Al-Te-Cu-Zr alloy sputtering target which enables the effective prevention of the formation of particles, the formation of nodules and the like during sputtering, and which contains oxygen in a reduced amount; and a method for producing the Al-Te-Cu-Zr alloy sputtering target.
(FR) La présente invention concerne une cible de pulvérisation en alliage Al-Te-Cu-Zr caractérisée en ce qu'elle contient de 20 à 40 % atomique de Te, de 5 à 20 % atomique de Cu, de 5 à 15 % atomique de Zr, le reste étant constitué par de l'Al, dans lequel une phase Te, une phase Cu et une phase CuTe n'existent pas dans la structure cible. La présente invention aborde le problème de la fourniture : d'une cible de pulvérisation en alliage Al-Te-Cu-Zr qui permet de prévenir efficacement la formation de particules, la formation de nodules et analogues pendant la pulvérisation, et qui contient de l'oxygène dans une quantité réduite; et d'un procédé de production de ladite cible de pulvérisation en alliage Al-Te-Cu-Zr.
(JA) Teを20at%~40at%含有し、Cuを5at~20at%含有し、Zrを5at~15at%含有し、残部がAlからなり、ターゲット組織中に、Te相、Cu相及びCuTe相が存在しないことを特徴とするAl-Te-Cu-Zr合金スパッタリングターゲット。本発明は、スパッタリングの際の、パーティクルの発生、ノジュールの発生等を効果的に抑制し、さらにターゲット中に含まれる酸素を減少させることのできるAl-Te-Cu-Zr合金スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供することを課題とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN106164329SG11201607790WEP3124647JPWO2015146311US20170175252KR1020160131097
KR1020180085057