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1. (WO2015146292) 透明導電フィルムおよびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/146292 国際出願番号: PCT/JP2015/053008
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 03.02.2015
IPC:
H01B 5/14 (2006.01) ,G06F 3/041 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
B
ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
5
形を特徴とする非絶縁導体または導電物体
14
絶縁支持体上に導電層または導電フイルムを有するもの
G 物理学
06
計算;計数
F
電気的デジタルデータ処理
3
計算機で処理しうる形式にデータを変換するための入力装置;処理ユニットから出力ユニットへデータを転送するための出力装置,例.インタフェース装置
01
ユーザーと計算機との相互作用のための入力装置または入力と出力が結合した装置
03
器具の位置または変位をコード信号に変換するための装置
041
変換手段よって特徴付けられたデジタイザー,例.タッチスクリーンまたはタッチパッド用のもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
285
気体または蒸気からの析出,例.凝結
出願人:
株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 大阪府大阪市北区中之島二丁目3番18号 3-18, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288, JP
発明者:
早川 弘毅 HAYAKAWA, Hironori; JP
口山 崇 KUCHIYAMA, Takashi; JP
代理人:
新宅 将人 SHINTAKU, Masato; JP
優先権情報:
2014-06911328.03.2014JP
発明の名称: (EN) TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM AND PROCESS FOR PRODUCING SAME
(FR) FILM ÉLECTRO-CONDUCTEUR TRANSPARENT ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 透明導電フィルムおよびその製造方法
要約:
(EN) The present invention relates to a transparent electroconductive film which comprises a transparent film substrate and an amorphous transparent electrode layer disposed thereon. The transparent electrode layer is constituted of an indium/tin composite oxide and has a tin oxide content of 3-12 mass% and a film thickness of 15-30 nm. When the transparent electrode layer is examined by X-ray photoelectron spectroscopy, the tin 3d5/2 binding energy (ESn) and the indium 3d5/2 binding energy (EIn) satisfy the following (1) and (2) with respect to the following analysis range: analysis range is the region in which the indium content is 40 at.% or higher and from which the region ranging from 0 to 3 nm in terms of distance (d) from the surface of the transparent electrode layer in the film-thickness direction is excluded. (1) The minimum value (Emin) of the binding energy difference between the binding energy ESn and the binding energy EIn, ESn-EIn, is present nearer to the surface of the transparent electrode layer than the maximum value (Emax) of the binding energy difference ESn-EIn; and (2) the difference between the maximum value (Emax) and the minimum value (Emin), Emax-Emin, is 0.1 eV or greater.
(FR) La présente invention concerne un film électro-conducteur transparent qui comprend un substrat de film transparent et une couche d'électrode transparente amorphe disposée sur ce dernier. La couche d'électrode transparente est constituée d'un oxyde composite d'indium/étain et a une teneur en oxyde d'étain de 3 à 12 % en masse et une épaisseur de film de 15 à 30 nm. Lorsque la couche d'électrode transparente est examinée par spectroscopie de photoélectrons X, l'énergie de liaison d'étain 3d5/2 (ESn) et l'énergie de liaison d'indium 3d5/2 (EIn) satisfont ce qui suit (1) et (2) par rapport à la plage d'analyse suivante : la plage d'analyse est la région dans laquelle la teneur en indium est de 40 % ou plus et de laquelle est exclue la région allant de 0 à 3 nm en termes de distance (d) à partir de la surface de la couche d'électrode transparente dans la direction de l'épaisseur du film. (1) La valeur minimale (Emin) de la différence d'énergie de liaison entre l'énergie de liaison ESn et l'énergie de liaison EIn, ESn-EIn, est présente plus près de la surface de la couche d'électrode transparente que la valeur maximale (Emax) de la différence d'énergie de liaison ESn-EIn ; et (2) la différence entre la valeur maximale (Emax) et la valeur minimale (Emin), Emax-Emin, est de 0,1 eV ou plus.
(JA)  本発明は、透明フィルム基板上に、非晶質の透明電極層を有する透明導電フィルムに関する。透明電極層は、インジウム・スズ複合酸化物から構成され、酸化スズの含有量が3~12質量%、膜厚が15~30nmである。透明電極層は、X線光電子分光測定により求められる、スズ3d5/2の結合エネルギーESn及びインジウム3d5/2の結合エネルギーEInが、下記解析範囲において、下記(1)および(2)を満たす。解析範囲:インジウムを40原子パーセント以上含む領域のうち、膜厚方向における透明電極層の表面からの距離dが0~3nmである領域を除いた領域;(1)結合エネルギーESn及びEInの結合エネルギー差ESn-EInの最小値Eminが、結合エネルギー差ESn-EInの最大値Emaxよりも透明電極層の表面側に存在する;(2)最大値Emaxと最小値Eminとの差Emax-Eminが、0.1eV以上である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN105874544JPWO2015146292US09657386