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1. (WO2015146262) ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/146262 国際出願番号: PCT/JP2015/051833
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 23.01.2015
IPC:
B32B 9/00 (2006.01) ,C23C 16/42 (2006.01) ,C23C 16/505 (2006.01)
B 処理操作;運輸
32
積層体
B
積層体,すなわち平らなまたは平らでない形状,例.細胞状またはハニカム状,の層から組立てられた製品
9
本質的にグループ11/00~29/00に包含されない特殊な物質からなる積層体
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
42
けい化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
50
放電を用いるもの
505
高周波放電によるもの
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
中村 誠吾 NAKAMURA Seigo; JP
望月 佳彦 MOCHIZUKI Yoshihiko; JP
向井 厚史 MUKAI Atsushi; JP
代理人:
小田原 修一 ODAHARA Shuichi; JP
優先権情報:
2014-05954124.03.2014JP
発明の名称: (EN) GAS-BARRIER FILM AND PROCESS FOR PRODUCING GAS-BARRIER FILM
(FR) FILM BARRIÈRE CONTRE DES GAZ ET PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UN FILM BARRIÈRE CONTRE DES GAZ
(JA) ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法
要約:
(EN) A gas-barrier film which comprises a base film and an inorganic layer, wherein the inorganic layer comprises Si, N, H, and O and includes, in the film-thickness-direction central part, an even region which is even in Si/N/H/O ratio and is low in the proportion of O, the even region having a thickness larger than 5 nm. In the inorganic layer, at least one of the regions that are in contact with the boundaries is an oxygen-containing region in which the O proportion, indicated by the equation (O proportion)=(number of O atoms)/(total number of Si, N, and O atoms)×100%, increases from the even-region side toward the boundary and in which the change of the O proportion per unit film thickness is 2-8 %/nm. This process for producing the gas-barrier film includes: forming an inorganic layer by a plasma-enhanced CVD method; and regulating the time period over which the electric power supplied for plasma formation is raised from 0 kW to a maximum value and the time period over which the high-frequency electric power is lowered from the maximum value to 0 kW.
(FR) L'invention porte sur un film barrière contre des gaz, lequel film comprend un film de base et une couche minérale, la couche minérale comprenant Si, N, H et O, et comprenant, dans la partie centrale dans la direction de l'épaisseur du film, une région régulière qui a un rapport Si/N/H/O régulier et qui a une faible teneur en O, la région régulière ayant une épaisseur supérieure à 5 nm. Dans la couche minérale, au moins l'une des régions qui sont en contact avec les limites est une région contenant de l'oxygène, dans laquelle la teneur en O, indiquée par l'équation (teneur en O) = (nombre d'atomes de O)/(nombre total d'atomes de Si, N et O) x 100 %, augmente à partir du côté de région régulière vers la limite, et dans laquelle le changement de la teneur en O par épaisseur de film unitaire est de 2 à 8 %/nm. L'invention porte également sur un procédé pour produire le film barrière contre des gaz, lequel procédé met en œuvre : la formation d'une couche minérale par un procédé de déposition en phase vapeur par procédé chimique renforcé par plasma ; et la régulation de la période de temps pendant laquelle la puissance électrique délivrée pour la formation de plasma est élevée à partir de 0 kW jusqu'à une valeur maximale, et de la période de temps pendant laquelle la puissance électrique à haute fréquence est abaissée à partir de la valeur maximale jusqu'à 0 kW.
(JA)  ガスバリアフィルムは、基材フィルムおよび無機層を含むガスバリアフィルムであって、無機層は、SiとNとHとOとを含み、膜厚方向中央部において、SiとNとHとOとの比が均一であり、Oの比率が低い均一領域を5nmよりも大きい膜厚で含み、いずれか一つ以上の界面に接する領域が、式(O比率):(Oの数/Si、NおよびOの総数)×100%;で表されるO比率が均一領域側から界面方向に向かって増加しており、かつO比率の単位膜厚当たりの変化量が2%/nm~8%/nmである酸素含有領域である。ガスバリアフィルムの製造方法は、プラズマCVD法により無機層を形成することを含み、プラズマ形成のために供給する電力が0kWから最大値に達する時間および高周波を供給する電力の最大値から0kWに達する時間を調整することを含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20170009339EP3124227CN106132691