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1. (WO2015146253) 固体撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/146253 国際出願番号: PCT/JP2015/051650
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 22.01.2015
IPC:
H01L 27/14 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H01L 27/00 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01) ,H04N 9/07 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
065
装置がグループ27/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
9
カラーテレビジョン方式の細部
04
画像信号発生装置
07
1つの撮像装置のみを有するもの
出願人:
オリンパス株式会社 OLYMPUS CORPORATION [JP/JP]; 東京都渋谷区幡ヶ谷2丁目43番2号 43-2, Hatagaya 2-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1510072, JP
発明者:
竹本 良章 TAKEMOTO Yoshiaki; JP
代理人:
棚井 澄雄 TANAI Sumio; JP
優先権情報:
2014-06793128.03.2014JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D’IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置
要約:
(EN) This solid-state imaging device is provided with: a first substrate that has a first semiconductor layer at which a first photoelectric conversion unit is formed that converts incoming first light rays to an electrical signal; and a second substrate having a second semiconductor layer at which a second photoelectric conversion unit is formed that converts second light rays that are incoming having passed through the first substrate to an electrical signal. The first substrate is provided with: a first anti-reflection film formed contacting a first surface that is the surface at the side of entry of the first light rays to the first semiconductor layer; and a second anti-reflection film formed contacting a second surface that is the surface at the reverse side from the first surface and from which the first light rays having passed through the first semiconductor layer exit as the second light rays.
(FR) La présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs pourvu : d'un premier substrat comportant une première couche semi-conductrice au niveau de laquelle est formée une première unité de conversion photoélectrique qui convertit des premiers rayons lumineux entrant en un signal électrique ; et d'un second substrat comportant une seconde couche semi-conductrice au niveau de laquelle est formée une seconde unité de conversion photoélectrique qui convertit des seconds rayons lumineux, qui sont entrant après avoir traversé le premier substrat, en un signal électrique. Le premier substrat est pourvu : d'un premier film antireflet formé en contact avec une première surface qui est la surface située du côté entrée des premiers rayons lumineux vers la première couche semi-conductrice ; et d'un second film antireflet formé en contact avec une seconde surface qui est la surface située du côté opposé de la première surface et de laquelle les premiers rayons lumineux ayant traversé la première couche semi-conductrice sortent en tant que seconds rayons lumineux.
(JA)  この固体撮像装置は、入射された第1の光線を電気信号に変換する第1の光電変換部が形成された第1の半導体層を有する第1の基板と、第1の基板を透過して入射された第2の光線を電気信号に変換する第2の光電変換部が形成された第2の半導体層を有する第2の基板とを備える。第1の基板は、第1の半導体層に第1の光線が入射する側の面である第1の面に接して形成される第1の反射防止膜と、第1の光線が第1の半導体層を透過して第2の光線として出射される、第1の面と反対側の面である第2の面に接して形成される第2の反射防止膜とを備える。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)