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1. (WO2015146161) 半導体基板の熱処理方法、半導体基板の製造方法、熱処理装置、及び基板処理システム
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/146161 国際出願番号: PCT/JP2015/001684
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 24.03.2015
予備審査請求日: 22.01.2016
IPC:
H01L 21/265 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
263
高エネルギーの輻射線を有するもの
265
イオン注入法
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
324
半導体本体の性質を改変するための熱処理,例.アニーリング,シンタリング
出願人:
キヤノンアネルバ株式会社 CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県川崎市麻生区栗木2-5-1 2-5-1, Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550, JP
発明者:
柴垣 真果 SHIBAGAKI, Masami; JP
篠田 康子 SHINODA, Yasuko; JP
真下 かおり MASHIMO, Kaori; JP
鈴木 雄大 SUZUKI, Yudai; JP
代理人:
岡部 讓 OKABE, Yuzuru; JP
優先権情報:
2014-06058424.03.2014JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HEAT TREATMENT METHOD, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD, HEAT TREATMENT APPARATUS, AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT THERMIQUE DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, APPAREIL DE TRAITEMENT THERMIQUE, ET SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 半導体基板の熱処理方法、半導体基板の製造方法、熱処理装置、及び基板処理システム
要約:
(EN) Provided are a semiconductor substrate heat treatment method and a semiconductor substrate heat treatment apparatus, whereby, in the cases of heat treating a semiconductor substrate having a cap film formed on a surface, surface roughness of the semiconductor substrate can be suppressed even if heat treatment is performed at a high temperature. This semiconductor substrate heat treatment method for heat treating a semiconductor substrate (3) having a cap film formed on a surface performs heat treatment to the semiconductor substrate (3) in a vacuum chamber (D) having a gas sealed therein at pressure exceeding pressure in a molecular flow region.
(FR) La présente invention concerne un procédé de traitement thermique de substrat semi-conducteur et un appareil de traitement thermique de substrat semi-conducteur, grâce auxquels, dans des cas de traitement thermique d’un substrat semi-conducteur ayant un film de couverture formé sur une surface, la rugosité de surface du substrat semi-conducteur peut être supprimée, même si le traitement thermique est effectué à une température élevée. Le procédé de traitement thermique de substrat semi-conducteur pour traiter thermiquement un substrat semi-conducteur (3) ayant un film de revêtement formé sur une surface effectue un traitement thermique du substrat semi-conducteur (3) dans une chambre à vide (D) dans laquelle un gaz est scellé à une pression supérieure à la pression dans une région de flux moléculaire.
(JA)  表面にキャップ膜が形成された半導体基板を熱処理する場合に、高温での熱処理であっても半導体基板の表面荒れを抑制することができる半導体基板の熱処理方法及び熱処理装置を提供する。表面にキャップ膜が形成された半導体基板3の熱処理を行う半導体基板の熱処理方法であって、分子流領域の圧力を超える圧力でガスが封止された状態の真空チャンバD内において、半導体基板3の熱処理を行う。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2015146161